東芝存儲器總部位于美國(guó)的子公司Toshiba Memory America，Inc.（TMA）今天宣布推出新的存儲器（SCM）解決方案：XL-FLASH 。
XL-FLASH是基于該公司創新的BiCS FLASH 3D閃存技術，每單元1比特SLC，將(jiāng)爲數據中心和企業存儲帶來低延遲和高性能(néng)的解決方案。樣品將(jiāng)于9月開(kāi)始出貨，預計將(jiāng)于2020年開(kāi)始量産。
介于DRAM和NAND Flash之間，XL-FLASH的速度快，延遲低，并且有更高的存儲容量。和傳統DRAM相比它的成(chéng)本也更低。一開(kāi)始XL-FLASH是被布局在SSD産品上，但之後(hòu)也會應用在DRAM的産品上，比如未來行業标準的非易失性雙列直插式内存模塊(NVDIMMs)。
主要特點
128Gb Die（2Die（32GB）、4Die（64GB）、8Die（128GB）封裝） ；
4KB Page大小，高效的操作系統的讀寫 ；
16-plane更高效的并行架構 ；
快速的讀取頁面(miàn)和編程時間，XL-Flash提供小于5微秒的低讀取延遲，比現有TLC快10倍。
東芝存儲器子公司TMA存儲業務部高級副總裁兼總經(jīng)理Scott Nelson表示，“借助XL-FLASH，我們爲超大規模制造商和企業服務器/存儲供應商提供了一種(zhǒng)更具成(chéng)本效益，更低延遲的存儲解決方案，彌補了DRAM與NAND性能(néng)之間的差距。”
注：本文根據東芝官網文章編譯，原文鏈接：https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2019/08/memory-20190805-1.html
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