英諾賽科寬禁帶半導體項目完成(chéng)主體施工

英諾賽科寬禁帶半導體項目完成(chéng)主體施工

據看看新聞網報道(dào),目前,英諾賽科(蘇州)半導體有限公司項目主體施工已經(jīng)完成(chéng)。

資料顯示,英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民币,注冊資本20億元,占地368.6畝,主要建設從器件設計,驅動IC設計開(kāi)發(fā),材料制造,器件制備,後(hòu)段高端封測以及模塊加工的全産業鏈寬禁帶半導體器件制造平台。建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)成(chéng)爲世界一流的集研發(fā)、設計、外延生産、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全産業鏈研發(fā)生産平台。

據規劃,項目開(kāi)工後(hòu)兩(liǎng)年内投産,投産後(hòu)三年實現年産78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目标,年銷售收入約80億元,年稅收不低于10億元。

根據江蘇經(jīng)濟報此前報道(dào),該項目建成(chéng)投産後(hòu)將(jiāng)填補國(guó)内相關領域空白,并成(chéng)爲世界第一個大型量産基地。該項目也是該領域全球首個大型量産基地,爲5G移動通信、新能(néng)源汽車、高速列車、電子信息、航空航天、能(néng)源互聯網等産業的自主創新發(fā)展,提供核心電子元器件。

英諾賽科芯片項目主廠房封頂 預計明年規模化量産

英諾賽科芯片項目主廠房封頂 預計明年規模化量産

英諾賽科(蘇州)半導體有限公司(以下簡稱英諾賽科)是一家專業從事(shì)新型第三代半導體材料、器件以及集成(chéng)電路開(kāi)發(fā)與制造的高科技公司。近日,芯片項目主廠房經(jīng)過(guò)14個月的緊張建設,順利完成(chéng)封頂。市委副書記朱民,吳江區及汾湖高新區領導李銘、吳琦、沈偉江出席封頂儀式。

芯片項目主廠房的封頂,意味着項目整體工程進(jìn)度完成(chéng)65%。預計12月底生産設備正式進(jìn)廠,2020年可實現規模化量産。據悉,項目占地面(miàn)積368畝,計劃在5年内完成(chéng)投資60億元。屆時,將(jiāng)建成(chéng)世界上第三代半導體大規模生産中心,可創造高科技工作崗位超2000個。

目前,英諾賽科已在激光雷達、高密高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED 燈照明驅動等方面(miàn)發(fā)布産品方案,其主要産品包括氮化镓功率器件、功率模塊和射頻器件,具有小尺寸、高性能(néng)、低成(chéng)本、高可靠性等優勢。蘇州項目的推進(jìn),將(jiāng)充分抓住長(cháng)三角一體化發(fā)展戰略的重大曆史時機,借助長(cháng)三角地區半導體産業集群效應和政策優勢,與上下遊先進(jìn)企業形成(chéng)産業融合與協作,爲5G移動通信、激光雷達、人工智能(néng)、快速充電、數據中心、新能(néng)源汽車、清潔能(néng)源等産業的自主創新發(fā)展和其他轉型升級行業提供高效、節能(néng)、低成(chéng)本的核心電子元器件。

英諾賽科公司總經(jīng)理孫表示,英諾賽科蘇州工廠是公司發(fā)展的重要戰略布局,相信英諾賽科將(jiāng)會成(chéng)爲世界一流的第三代半導體公司,吳江會成(chéng)爲全世界新的先進(jìn)半導體制造中心。

蘇州市委副書記朱民表示,英諾賽科項目推進(jìn)過(guò)程中,蘇州、吳江兩(liǎng)級政府必將(jiāng)積極踐行親商、安商、富商的服務理念,爲企業如期順利推進(jìn)并加快投産提供最好(hǎo)的營商環境及政治生态。