據看看新聞網報道(dào)，目前，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司項目主體施工已經(jīng)完成(chéng)。
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民币，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅動IC設計開(kāi)發(fā)，材料制造，器件制備，後(hòu)段高端封測以及模塊加工的全産業鏈寬禁帶半導體器件制造平台。建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)成(chéng)爲世界一流的集研發(fā)、設計、外延生産、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全産業鏈研發(fā)生産平台。
據規劃，項目開(kāi)工後(hòu)兩(liǎng)年内投産，投産後(hòu)三年實現年産78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目标，年銷售收入約80億元，年稅收不低于10億元。
根據江蘇經(jīng)濟報此前報道(dào)，該項目建成(chéng)投産後(hòu)將(jiāng)填補國(guó)内相關領域空白，并成(chéng)爲世界第一個大型量産基地。該項目也是該領域全球首個大型量産基地，爲5G移動通信、新能(néng)源汽車、高速列車、電子信息、航空航天、能(néng)源互聯網等産業的自主創新發(fā)展，提供核心電子元器件。