在本周于舊金山舉辦的 SEMICON West 大會上，英特爾的工程技術專家們介紹了英特爾先進(jìn)封裝技術的最新信息，并推出了一系列全新基礎工具，包括將(jiāng) EMIB 和 Foveros 技術相結合的創新應用，以及全新的全方位互連（ODI, Omni-Directional Interconnect）技術。英特爾的全新封裝技術將(jiāng)與其世界級制程工藝相結合，助力客戶釋放創新力，走向(xiàng)計算新時代。
英特爾公司集團副總裁兼封裝測試技術開(kāi)發(fā)部門總經(jīng)理 Babak Sabi 表示：“我們的願景是利用先進(jìn)技術將(jiāng)芯片和小芯片封裝在一起(qǐ)，達到單晶片系統級芯片的性能(néng)。異構集成(chéng)技術爲我們的芯片架構師提供了前所未有的靈活性，使之能(néng)夠在新的多元化模塊中將(jiāng)各種(zhǒng) IP 和制程技術與不同的内存和 I/O 單元混搭起(qǐ)來。英特爾的垂直集成(chéng)結構在異構集成(chéng)的時代獨具優勢，它賦予了我們無與倫比的強大能(néng)力，讓我們能(néng)夠對(duì)架構、制程和封裝同時進(jìn)行優化，從而交付領先的産品。”
芯片封裝在電子供應鏈中看似不起(qǐ)眼，卻一直發(fā)揮關鍵作用。作爲處理器和主闆之間的物理接口，封裝爲芯片的電信号和電源提供了一個着陸區。随着電子行業正在邁向(xiàng)以數據爲中心的時代，先進(jìn)封裝將(jiāng)比過(guò)去發(fā)揮更重大的作用。
封裝不僅僅是制造過(guò)程的最後(hòu)一步，它正在成(chéng)爲産品創新的催化劑。先進(jìn)的封裝技術能(néng)夠集成(chéng)多種(zhǒng)制程工藝的計算引擎，實現類似于單晶片的性能(néng)，但其平台範圍遠遠超過(guò)單晶片集成(chéng)的晶片尺寸限制。這(zhè)些技術將(jiāng)大大提高産品級性能(néng)和功效，縮小面(miàn)積，同時對(duì)系統架構進(jìn)行全面(miàn)改造。
作爲先進(jìn)封裝技術的領導者，英特爾能(néng)夠同時提供 2D 和 3D 封裝技術。在 SEMICON West 大會上，英特爾分享了三項全新技術，將(jiāng)爲芯片産品架構開(kāi)啓一個全新維度。
Co-EMIB：英特爾的 EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）2D 封裝 和 Foveros 3D 封裝技術利用高密度的互連技術，實現高帶寬、低功耗，并實現相當有競争力的 I/O 密度。而英特爾的全新 Co-EMIB 技術能(néng)將(jiāng)更高的計算性能(néng)和能(néng)力連接起(qǐ)來。Co-EMIB 能(néng)夠讓兩(liǎng)個或多個 Foveros 元件互連，基本達到單晶片性能(néng)。設計師們還(hái)能(néng)夠以非常高的帶寬和非常低的功耗連接模拟器、内存和其他模塊。
ODI：英特爾的全新全方位互連技術（ODI）爲封裝中小芯片之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。頂部芯片可以像 EMIB 技術下一樣與其他小芯片進(jìn)行水平通信，同時還(hái)可以像 Foveros 技術下一樣，通過(guò)矽通孔（TSV）與下面(miàn)的底部裸片進(jìn)行垂直通信。ODI 利用大的垂直通孔直接從封裝基闆向(xiàng)頂部裸片供電，這(zhè)種(zhǒng)大通孔比傳統的矽通孔大得多，其電阻更低，因而可提供更穩定的電力傳輸，同時通過(guò)堆疊實現更高帶寬和更低時延。同時，這(zhè)種(zhǒng)方法減少了基底晶片中所需的矽通孔數量，爲有源晶體管釋放了更多的面(miàn)積，并優化了裸片的尺寸。
MDIO：基于其高級接口總線（AIB）物理層互連技術，英特爾發(fā)布了一項名爲 MDIO 的全新裸片間接口技術。MDIO 技術支持對(duì)小芯片 IP 模塊庫的模塊化系統設計，能(néng)夠提供更高能(néng)效，實現 AIB 技術兩(liǎng)倍以上的響應速度和帶寬密度。