聯華電子2日表示，在使用USB 2.0測試載具并成(chéng)功通過(guò)矽驗證之後(hòu)，正式宣布更先進(jìn)的22納米制程技術就緒。
聯電表示，相較于一般的USB 2.0 PHY IP，使用聯電制程的測試載具所使用面(miàn)積是全球最小，已展現聯電技術的成(chéng)熟，且新的芯片設計若要采用22納米制程，并無需更改現有的28納米設計架構，客戶將(jiāng)可放心地的直接從28納米制程轉移到22納米。
聯電強調，將(jiāng)緻力于提供世界領先的晶圓專工特殊技術，并持續推出特殊制程，以應用于快速成(chéng)長(cháng)的5G、物聯網和車用電子等芯片市場。與原本的28納米高介電系數/金屬栅極制程相比，22納米能(néng)再縮減10%的晶粒面(miàn)積、擁有更好(hǎo)的功率效能(néng)比，以及強化射頻性能(néng)等特點。
另外還(hái)提供了與28納米制程相同光罩數的22納米超低功耗版本（22ULP），以及22納米超低洩漏版本（22ULL），將(jiāng)支援0.6~1.0伏特電壓，協助客戶在系統單芯片設計中同時享有兩(liǎng)種(zhǒng)技術優勢。
日前聯電已與ASIC設計服務商智原在22納米制程平台上合作推出基礎元件IP支援，是市場上需防漏電或長(cháng)期續行的産品，如機頂盒、數字電視、監視器、穿戴式裝置等物聯網芯片的理想選擇。
目前應用22ULP/ULL制程的基礎元件IP已具備進(jìn)階的繞線架構，多樣的IO元件庫包括通用IO、多重電壓IO、RTC IO、OSC IO和類比ESD IO，且存儲器編譯器還(hái)具有雙電源軌功能(néng)、多重省電模式、和讀寫輔助功能(néng)等特色。