武漢新芯50納米代碼型閃存芯片量産 存儲單元面(miàn)積和密度達國(guó)際先進(jìn)水平

武漢新芯50納米代碼型閃存芯片量産 存儲單元面(miàn)積和密度達國(guó)際先進(jìn)水平

由 中代科技評論關閉

6月4日，武漢新芯集成(chéng)電路制造有限公司透露，其自主研發(fā)的50納米浮栅式代碼型閃存（SPI NOR Flash）芯片已全線量産。

目前，在全球NOR Flash存儲芯片領域，業界通用技術爲65納米。武漢新芯新一代50納米技術，已逼近此類芯片的物理極限，無論是存儲單元面(miàn)積還(hái)是存儲密度，均達到國(guó)際先進(jìn)水平。

據了解，武漢新芯50納米閃存技術于2019年12月取得突破，随後(hòu)投入量産準備。從65納米到50納米的躍升，武漢新芯用了18個月。

Flash指非易失性存儲介質。此次量産産品爲寬電源電壓産品系列XM25QWxxC，容量覆蓋16兆到256兆。性能(néng)測試顯示，在1.65伏至3.6伏電壓範圍内，該系列NOR Flash存儲芯片的工作頻率可達133兆赫，即使在零下40℃或105℃這(zhè)種(zhǒng)極端溫度下，依然不會停止“芯跳”。其無障礙重複擦寫可達10萬次，數據保存時間長(cháng)達20年。

研發(fā)人員介紹，作爲NOR Flash存儲芯片中的“閃電俠”，該芯片在連續讀取模式下，能(néng)實現高效的存儲器訪問，僅需8個時鍾的指令周期，即可讀取24位地址。不僅如此，它還(hái)可使便攜式設備的電池壽命延長(cháng)1.5倍以上，令用戶通過(guò)寬電壓功能(néng)實現更好(hǎo)的庫存管理。

“對(duì)此次研發(fā)而言，最難的挑戰是速度、功耗和可靠性。”武漢新芯運營中心副總裁孫鵬說，随着50納米NOR閃存的重大突破，武漢新芯將(jiāng)在性能(néng)和成(chéng)本上進(jìn)一步提高競争力，針對(duì)快速發(fā)展的物聯網和5G市場，持續研發(fā)自有品牌的閃存産品，不斷拓展産品線。

近期，武漢新芯與業内領先的物聯網核心芯片和解決方案平台樂鑫科技達成(chéng)長(cháng)期戰略合作，雙方將(jiāng)圍繞物聯網應用市場，在物聯網、存儲器芯片與應用方案開(kāi)發(fā)上展開(kāi)合作。樂鑫科技CEO張瑞安表示，武漢新芯NOR Flash存儲芯片，支持低功耗、寬電壓工作，能(néng)滿足該平台全系物聯網芯片、智能(néng)家居及工業模組的應用要求。

武漢新芯成(chéng)立于2006年，專注于NOR Flash存儲芯片的研發(fā)制造，并以全球領先的半導體三維集成(chéng)制造技術，在圖像傳感器、射頻芯片、DRAM存儲器等産品上，不斷實現性能(néng)和架構突破。

武漢新芯産能(néng)利用率已達100%

武漢新芯産能(néng)利用率已達100%

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2020年4月8日零時起(qǐ)，武漢市解除離漢離鄂通道(dào)管控措施，穩步推動複工複産複市，有序恢複全省正常生産生活秩序。

根據武漢新芯官方消息，在70多天的防疫戰中，武漢新芯廠内員工、廠商人員及所有後(hòu)勤保障人員無一感染。在過(guò)去兩(liǎng)個多月的戰“疫”中，堅守在一線的武漢新芯員工和供應商協同作戰，聯防聯控，互幫互助，穩定生産，綜合産能(néng)利用率始終保持在70%以上。

值得注意的是，随着武漢防疫形勢的好(hǎo)轉，武漢新芯從3月28日開(kāi)始，産能(néng)利用率達到100%，并從4月6日開(kāi)始，連續創出日運載率指數曆史新高。

資料顯示，武漢新芯于2006年在武漢成(chéng)立，是一家領先的集成(chéng)電路研發(fā)與制造企業，專注于NOR Flash與晶圓級XtackingTM技術，作爲紫光集團旗下核心企業，武漢新芯自2008年開(kāi)始向(xiàng)客戶提供專業的300MM晶圓代工服務，在NOR Flash領域已經(jīng)積累了十多年的制造經(jīng)驗，是中國(guó)乃至世界領先的NOR Flash晶圓制造商之一。2017年武漢新芯開(kāi)始聚焦IDM (Integrated Device Manufacturer)戰略，發(fā)布了集産品設計、晶圓制造與産品銷售于一體的自主品牌，緻力于開(kāi)發(fā)高性價比的SPI NOR Flash産品。

湖北半導體三維集成(chéng)制造創新中心揭牌

湖北半導體三維集成(chéng)制造創新中心揭牌

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1月18日，湖北省半導體三維集成(chéng)制造創新中心在武漢揭牌，它是全國(guó)半導體三維集成(chéng)制造領域首個省級創新中心，爲以國(guó)家存儲器基地爲核心的湖北芯片産業，提供了更加堅強的創新驅動力。

該中心是我省落實國(guó)家“制造強國(guó)、網絡強國(guó)”建設重大部署，加強半導體制造創新平台建設，提升半導體産業基礎能(néng)力和産業鏈水平，應對(duì)國(guó)際競争的重大舉措。省制造強省建設領導小組組織專家認真評估，批準長(cháng)江存儲公司和武漢新芯公司爲主體，在全國(guó)率先創建省級創新中心。

據介紹，該中心自籌備開(kāi)始，就對(duì)照國(guó)家級制造創新中心建設要求，高标準推進(jìn)共性技術研發(fā)、産業綜合服務、成(chéng)果轉化育成(chéng)等三大平台建設工作，將(jiāng)着力推進(jìn)半導體工程化技術研發(fā)，突破多晶圓堆疊等半導體行業關鍵共性技術，積極探索三維集成(chéng)制造技術商業化應用，不斷加強行業影響力和輻射帶動效應，全力争創國(guó)家級創新中心。

該中心還(hái)與北京大學(xué)、清華大學(xué)等多所大學(xué)及湖北省半導體行業協會等單位，在人才培養、知識産權、産業孵化等方面(miàn)開(kāi)展全方位合作，共建半導體産業生态。

爲助推湖北“一芯兩(liǎng)帶三區”區域和産業發(fā)展布局，國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行等12家銀行與長(cháng)江存儲公司簽訂相關協議，爲該公司擴規模、擴産能(néng)、促發(fā)展提供資金支持。

武漢市長(cháng)周先旺：2020年确保武漢新芯二期項目投産量産

武漢市長(cháng)周先旺：2020年确保武漢新芯二期項目投産量産

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1月7日，武漢市第十四屆人民代表大會第五次會議開(kāi)幕，武漢市市長(cháng)周先旺作政府工作報告。

報告指出，2019年，武漢高新技術産業增加值占經(jīng)濟總量比重達24.5％，數字經(jīng)濟占比40％左右，“芯屏端網”産業規模不斷壯大，五大産業基地建設全面(miàn)提速，構築起(qǐ)高質量發(fā)展強大支撐。

報告提出，2020年，武漢將(jiāng)圍繞産業升級，加快實施一批“芯屏端網”重大項目，推動光谷生物創新園二期、漢江灣科創總部基地、阿裡(lǐ)巴巴武漢産業社區等265個投資億元以上産業項目開(kāi)工。

此外，針對(duì)半導體存儲器領域重大項目，政府工作報告在“2020年重點工作任務”部分還(hái)提出，确保武漢新芯二期等項目投産量産。

資料顯示，武漢新芯成(chéng)立于2006年，2008年建成(chéng)投産，是中部地區第一條12英寸集成(chéng)電路生産線。2016年，在武漢新芯的基礎上，紫光集團、大基金、湖北集成(chéng)電路産業投資基金、以及湖北省科投共同出資成(chéng)立了長(cháng)江存儲，武漢新芯也成(chéng)爲了長(cháng)江存儲的全資子公司。

2018年8月28日，武漢新芯在武漢東湖高新區召開(kāi)二期擴産項目現場推進(jìn)會。武漢新芯表示，實施武漢新芯二期擴産項目，主要是爲了搶抓物聯網和5G應用爲半導體領域帶來的重要機遇。

武漢新芯二期擴産項目總投資17.8億美元，將(jiāng)建設自主代碼型閃存、微控制器和三維特種(zhǒng)工藝三大業務平台，相當于再造一個武漢新芯。

武漢新芯推出50nm高性能(néng)SPI NOR Flash産品系列

武漢新芯推出50nm高性能(néng)SPI NOR Flash産品系列

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2019年12月18日，紫光集團旗下武漢新芯集成(chéng)電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”），宣布推出業界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓産品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，爲物聯網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。

XM25QWxxC系列産品的讀速在1.65V至3.6V電壓範圍内可達108MHz（在所有單/雙/四通道(dào)和QPI模式下均支持），提供比其他供應商更快更強的性能(néng)，在電源電壓下降後(hòu)，時鍾速度沒(méi)有任何減慢。其傳輸速率可以勝過(guò)8位和16位并行閃存。在連續讀取模式下能(néng)實現高效的存儲器訪問，僅需8個時鍾的指令周期即可讀取24位地址，從而實現真正的XIP（execute in place）操作。

SOURCE：武漢新芯

XM25QWxxC系列支持SOP8和USON8封裝，協助客戶開(kāi)發(fā)小尺寸的産品。

“XM25QWxxC系列産品采用業界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝，可使便攜式設備的電池壽命延長(cháng)1.5倍以上。此外，客戶可以通過(guò)寬電壓功能(néng)實現更好(hǎo)的庫存管理。”武漢新芯運營中心副總裁孫鵬先生表示，“該系列産品的發(fā)布是武漢新芯自主品牌戰略的關鍵裡(lǐ)程碑，未來公司也將(jiāng)針對(duì)持續發(fā)展的IoT市場不斷開(kāi)發(fā)出創新産品，以此擴展高性能(néng)存儲産品組合。”