進(jìn)入2020年，國(guó)内新基建浪潮來襲，衆多芯片廠商大力推動5G芯片進(jìn)入市場。芯片飛速發(fā)展的背後(hòu)，封裝技術也乘勢進(jìn)入快速發(fā)展階段。長(cháng)電科技感知市場需求和技術發(fā)展趨勢，成(chéng)功研發(fā)出更高密度的雙面(miàn)封裝SiP工藝。
随着半導體技術的不斷發(fā)展，爲了滿足越來越多的應用需求，電子封裝體正朝着小型化、微型化發(fā)展，因此系統級封裝技術（SiP）越來越受到重視。在5G通訊被快速推廣的今天，SiP技術可節省開(kāi)發(fā)時間和避免試錯成(chéng)本，因而被廣泛地應用于移動終端設備中，具有很高的商業和技術價值。
随着5G時代的來臨， Sub-6G和毫米波頻段上的移動終端産品被廣泛應用。如何滿足5G毫米波的射頻需求，并將(jiāng)更多元器件 “塞”進(jìn)體積微小的射頻前端模組是未來技術的關鍵點。
長(cháng)電科技成(chéng)功于2020年4月通過(guò)全球行業領先客戶的認證，實現雙面(miàn)封裝SiP産品的量産。在這(zhè)項突破性技術工藝中，長(cháng)電科技設計的雙面(miàn)封裝SiP産品成(chéng)功應用了雙面(miàn)高密度、高精度SMT工藝，將(jiāng)大量的主被動元器件貼裝在基闆兩(liǎng)面(miàn)，器件間的間距更是小到隻有幾十微米。
其次，雙面(miàn)封裝SiP産品應用C-mold工藝，實現了芯片底部空間的完整填充，并有效減少了封裝後(hòu)的殘留應力， 保證了封裝的可靠性。Grinding工藝的采用，使封裝厚度有了較大範圍的選擇，同步實現精準控制産品的厚度公差。
此外，雙面(miàn)封裝SiP産品應用Laser ablation工藝，去除多餘塑封料，爲後(hòu)續錫球再成(chéng)型工藝預留了空間，确保了更好(hǎo)的可焊性。
面(miàn)對(duì)5G芯片需求爆發(fā)，先進(jìn)晶圓制程價格高企，SiP封裝技術使封裝環節在半導體産業鏈的價值得到大幅提升。可以預見，雙面(miàn)封裝SiP的應用將(jiāng)迎來繁盛期，長(cháng)電科技實現技術突破，成(chéng)功將(jiāng)雙面(miàn)SiP産品導入量産，及時爲國(guó)内外客戶提供更先進(jìn)、更優質的技術服務。