11月7日，氮化镓（GaN）射頻及功率器件産業化項目正式簽約落戶嘉興科技城。區委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會副主任曹建弟，浙江博方嘉芯集成(chéng)電路科技有限公司負責人出席簽約儀式。
該項目將(jiāng)新建大型規模化的GaN射頻器件與功率器件生産基地，總投資25億元，占地110畝。項目全部達産後(hòu)可實現年銷售30億元以上，年稅收7000萬元以上。GaN屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性，能(néng)夠廣泛運用于5G通訊基站、智能(néng)移動終端、物聯網、軍工航天、數據中心、通信設備、智能(néng)電網及太陽能(néng)逆變器等領域。
該項目的引進(jìn)是嘉興科技城深入實施全面(miàn)融入長(cháng)三角一體化發(fā)展首位戰略的成(chéng)果之一，將(jiāng)進(jìn)一步推動南湖區集成(chéng)電路新一代半導體産業的高質量發(fā)展，加速區塊鏈産業創新成(chéng)長(cháng)。
憑借在産業領域的投資布局、頂級的專家團隊以及廣大的市場應用，浙江博方嘉芯集成(chéng)電路科技有限公司通過(guò)打造射頻功率（RF Power）及功率器件（Power IC）的業務闆塊，實現了初具生态鏈格局、互爲契合應用的産業版圖，建立起(qǐ)擁有自主知識産權并在全球範圍内具有代表性的化合物半導體材料制造産業化生産，使之成(chéng)爲具有世界影響力的中國(guó)第三代半導體芯片産業示範标杆。