12月23日上午，廈門通富微電子有限公司揭牌暨集成(chéng)電路先進(jìn)封裝測試産業化基地（一期）項目試投産儀式舉行。
根據此前的資料顯示，通富微電先進(jìn)封測項目總投資70億元，于2017年6月簽約落戶。項目規劃建設以Bumping、WLCSP、CP、FC、SiP及三、五族化合物爲主的先進(jìn)封裝測試産業化基地，分三期實施，其中一期總投資20億元，規劃建設2萬片Bumping、CP以及2萬片WLCSP、SIP（中試線）。2018年12月14日，一期項目正式封頂；2019年10月30日，一期項目完成(chéng)送電。
12月23日，通富微電先進(jìn)封測項目試投産，達産後(hòu)年新增封裝測試集成(chéng)電路先進(jìn)封裝測試118.8萬片，預計年産值超20億元。
通富微電總裁石磊表示，建設廈門通富新工廠，是通富微電在産業政策及國(guó)産替代和5G、物聯網等應用對(duì)集成(chéng)電路巨大的市場需求背景下，抓住機遇，積極呼應，“借助産業化基地項目，打造世界級先進(jìn)封裝測試企業”的重要、關鍵的一步。
廈門海滄區委副書記鍾海英指出，2016年以來，海滄發(fā)展集成(chéng)電路産業重點打造以特色工藝封裝測試、集成(chéng)電路設計爲主的産業鏈布局，通富微電是落戶海滄的第一個集成(chéng)電路項目、東南沿海地區首個先進(jìn)封測産業化基地，該項目達産後(hòu)年産值將(jiāng)超10億元。