随着台積電、英特爾、三星晶圓代工的先進(jìn)邏輯制程在下半年拉高産能(néng)量産，半導體廠的12英寸矽晶圓庫存已在第三季底調節至季節性正常水位。由于矽晶圓需求已在10月下旬回溫，且明年7、5納米邏輯制程、1z納米DRAM及100層以上3D NAND等進(jìn)入量産，對(duì)高端12英寸矽晶圓需求度高，法人看好(hǎo)環球晶圓、台勝科最壞情況已過(guò)，第四季起(qǐ)進(jìn)入新的成(chéng)長(cháng)循環。
半導體生産鏈上半年受到美中貿易摩擦影響，包括晶圓代工廠、IDM廠、存儲器廠等均暫緩或放慢擴産計劃，加上産能(néng)利用率滑落，導緻矽晶圓庫存水位逐季墊高，也造成(chéng)矽晶圓價格松動。以今年12英寸矽晶圓價格來看，合約價雖有長(cháng)約鎖住但仍緩跌，現貨價則出現20～30%的跌幅。第三季因爲半導體廠端的矽晶圓庫存仍在去化階段，也造成(chéng)環球晶圓、台勝科等營收表現旺季不旺。
環球晶圓因受到長(cháng)約保護，12英寸矽晶圓長(cháng)約涵蓋率高達90%，銷售價格變動不大，第三季因應客戶拉貨而將(jiāng)部分出貨遞延，合并營收雖季減2.7%、年減5.7%達143.03億元（新台币，下同），但表現仍優于預期。
至于台勝科現貨比重較高，受到現貨價跌幅擴大影響，第三季合并營收季減11.6%，達25.27億元，更較去年同期大減40.7%，但10月下旬訂單已見回流，10月合并營收止跌回溫、月增1.8%達8.95億元。
第四季以來，邏輯制程矽晶圓受惠于晶圓代工廠先進(jìn)制程投片量增加，産能(néng)利用率維持高檔，需求已見回溫且庫存水位看到減少，應用在存儲器的抛光矽晶圓則仍受到DRAM及NAND Flash市場庫存過(guò)高影響。整體來看，半導體廠的庫存已在第三季底回到季節性正常水準，第四季開(kāi)始增加采購量，環球晶圓及台勝科的12英寸矽晶圓出貨回升，代表市場最壞情況已過(guò)，價格也止跌回穩。
至于明年矽晶圓市場能(néng)見度已明顯提高，台積電、英特爾、三星等大廠今年資本支出不減反增，代表明年邏輯制程新産能(néng)將(jiāng)陸續開(kāi)出，包括台積電及三星晶圓代工明年將(jiāng)進(jìn)入5納米世代，英特爾提高10納米産能(néng)及試産7納米制程。存儲器廠則加速1z納米DRAM、100層以上3D NAND産能(néng)轉換。
法人表示，邏輯或存儲器先進(jìn)制程需要的矽晶圓價格較高，在出貨量持穩回升下，看好(hǎo)環球晶圓、台勝科的第四季營收重回成(chéng)長(cháng)軌道(dào)，而且毛利率表現也會同步提升。明年矽晶圓市況供需平衡，下半年旺季期間有機會見到價格止跌回升。