北京時間7月17日消息，韓國(guó)一個科研團隊已成(chéng)功在大尺寸晶圓上成(chéng)功實現了一種(zhǒng)更節能(néng)的三元金屬氧化物半導體。
韓國(guó)蔚山科學(xué)技術大學(xué)電子和計算機工程系教授Kyung Rok Kim及其團隊，成(chéng)功開(kāi)發(fā)了一種(zhǒng)根據三進(jìn)制邏輯系統而非現有二進(jìn)制邏輯系統運行的半導體。這(zhè)一研究的論文發(fā)表在《自然·電子學(xué)》上。
該科研團隊表示，利用由0、1、2組成(chéng)的三進(jìn)制系統，減少了半導體需要處理的信息數量，提高信息處理速度，從而降低能(néng)耗。它還(hái)有助于進(jìn)一步減小芯片尺寸。
例如，利用二進(jìn)制表示128這(zhè)個數，需要8“位”數據；利用三進(jìn)制則隻需要5“位”數據。
電流洩露是進(jìn)一步減小芯片尺寸的一個主要障礙。在較小的空間内封裝更多電路，會使隧道(dào)效應更嚴重，增加洩露的電流，也意味着設備會消耗更多電能(néng)。
Kyung Rok Kim表示，如果這(zhè)一半導體技術商業化，這(zhè)不但标志着芯片産業發(fā)生根本性轉變，也將(jiāng)對(duì)人工智能(néng)、無人駕駛汽車、物聯網、生物芯片和機器人等嚴重依賴半導體的産業産生積極影響。
自2017年9月以來，三星一直通過(guò)三星科學(xué)和技術基金會資助Kyung Rok Kim的研究。三星科學(xué)和技術基金會對(duì)有前景的科技項目提供支持。
三星已經(jīng)在芯片代工業務部門驗證這(zhè)一技術。