韓國(guó)存儲器大廠SK海力士在2020年的CES上曾經(jīng)展出過(guò)64GB的DDR5-4800存儲器，其頻寬和容量均比現在的DDR4高出不少，因此備受業界的期待。如今，SK海力士正式宣布，將(jiāng)在年底前量産并提供業界頻率達到8400MHz的DDR5存儲器，單顆最大密度64Gb，并且會帶有ECC錯誤修正的功能(néng)，工作電壓僅1.1V。
根據SK海力士公布的資料顯示，DDR5存儲器的工作頻率從3200MHz到8400MHz，這(zhè)個範圍超越現在DDR4存儲器主頻在1600MHz到3200MHz的範圍。雖然，部分廠商推出的DDR4存儲器超頻版主頻能(néng)到5000MHz，不過(guò)，頻率超過(guò)4000MHz的DDR4是相當稀少的。至于容量方面(miàn)，現在DDR4單顆最大是16Gb，而DDR5則有8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb這(zhè)5種(zhǒng)不同的大小。
現在的DDR4存儲器要實達到ECC錯誤修正的功能(néng)，必須增加額外的芯片，但DDR5就不需要，ECC錯誤修正的功能(néng)已經(jīng)整合到每顆DRAM裡(lǐ)面(miàn)，這(zhè)是之前每一代DDR存儲器都(dōu)不曾做到的。而這(zhè)項功能(néng)的導入，這(zhè)有望降低存儲器的總體成(chéng)本。另外DFE決策反饋等化功能(néng)也被整合到DRAM内部，這(zhè)可以消除高頻存儲器工作時的雜訊，這(zhè)將(jiāng)大大提高每個引腳的速度。
另外，DDR5存儲器共有32個儲存區，劃分成(chéng)8個儲存區組，而DDR4存儲器則有16個儲存區和4個儲存區組，這(zhè)使得DDR5存儲器的頻寬和訪問性能(néng)翻了一倍，可提供更多的頻寬。至于，DDR5的VDD和VPP電壓從DDR4時代的1.2V/2.5V，降低到1.1V/1.8V，使得整體功耗下降了20%，再加上DFE的降噪，可進(jìn)一步降低高頻下的發(fā)熱量。SK海力士指出，2020年底前DDR5存儲器將(jiāng)會量産，初期以生産10納米級的16Gb爲主，單條存儲器容量最大達32GB，而未來還(hái)會有更高的容量出現。