标簽：三星電子

記者從三星（中國(guó)）半導體有限公司獲悉，地處西安高新區的三星半導體存儲芯片一期項目一、二月份實現滿産生産，二期項目正按計劃推進(jìn)。

據三星（中國(guó)）半導體有限公司副總裁池賢基介紹，受疫情影響，2月份公司曾出現物流不暢、原材料供應乏力、人力不足等問題，但在陝西省、西安市政府和企業共同努力下，公司一期項目一、二月都(dōu)保持着每月生産13萬片存儲芯片的滿産成(chéng)績。

記者采訪了解，春節期間，三星（中國(guó)）半導體有限公司在原有全封閉生産的基礎上，采取多重“抗疫”措施，生産沒(méi)有停工。

記者在三星存儲芯片一期項目外看到，項目4個入口分别設立了熱成(chéng)像測溫儀，24小時自動捕捉、實時測溫，提高了檢測效率。一旦發(fā)現異常，還(hái)將(jiāng)用水銀體溫計再次确認。項目的多個區域還(hái)循環播放洗手、消毒、戴口罩等疫情防疫的注意事(shì)項要領。

據陝西省政府外事(shì)辦公室介紹，爲做好(hǎo)防疫工作，三星半導體公司還(hái)建立AB角和人員備案制度，通過(guò)采取A角和B角在公司内走不同路線、食堂内不同區域就餐、辦公區相對(duì)獨立等措施，确保A角和B角相互之間沒(méi)有共同接觸機會。一旦人員出現異常情況，AB角可以迅速相互替代，确保工廠運行不受影響。

爲保障企業正常生産和供應鏈安全，陝西省、西安市政府幫助三星半導體公司聯系了數十家上下遊企業，确保一些關鍵半導體原材料的運輸和供應；西安高新區還(hái)成(chéng)立了政府專班，24小時服務企業，幫助公司解決交通、物流和人力等問題。

三星存儲芯片項目2012年落戶西安高新區，一期項目2014年5月竣工投産，實際總投資超過(guò)100億美元。

二期項目2018年3月開(kāi)工建設，計劃投資約140億美元。記者從三星（中國(guó)）半導體有限公司獲悉，第一階段項目目前正在調試安裝設備，第二階段争取按原定計劃在8月底完成(chéng)内部裝修工程。

近日，一則消息十分引人關注。高通最新發(fā)布旗下第三代5G基帶芯片骁龍X60，該芯片將(jiāng)采用三星5納米工藝進(jìn)行代工生産。這(zhè)使得三星在與台積電的代工大戰中，搶下一個重要客戶的訂單，同時也將(jiāng)摩爾定律推進(jìn)到5納米節點。2020年之初，全球半導體龍頭大廠在先進(jìn)工藝競争上的火藥味就已經(jīng)十分濃重。

“3+1”的參與者

5G的落地、人工智能(néng)的發(fā)展，無不需要應用到半導體芯片。這(zhè)在提升市場規模的同時，也對(duì)半導體技術提出了更大挑戰。半導體制造企業不得不朝着更加尖端的工藝節點7納米/5納米/3納米演進(jìn)。事(shì)實上，沿着摩爾定律能(néng)夠持續跟進(jìn)半導體工藝尺寸微縮的廠家數量已經(jīng)越來越少，在這(zhè)個領域競争的廠商主要就是三星、台積電和英特爾三家。此外，中國(guó)大陸晶圓代工廠中芯國(guó)際也在推進(jìn)當中。因此，參與先進(jìn)工藝之争的也就隻有這(zhè)樣“三大一小”幾家公司。

先進(jìn)工藝開(kāi)發(fā)量産的成(chéng)功與否對(duì)于半導體巨頭來說意義十分重大。台積電2019年第四季度财報實現營收3170億元新台币。按工藝水平劃分，7納米工藝技術段占公司收入的35％，10納米爲1％，16納米爲20％，合計16納米及以下先進(jìn)工藝産品收入已經(jīng)占到56％。台積電CEO魏哲家表示，采用先進(jìn)工藝的5G和HPC産品是台積電的長(cháng)期主要增長(cháng)動力，并預計2020年5G智能(néng)手機在整個智能(néng)手機市場的普及率爲10％左右。

正因如此，半導體龍頭大廠無不極爲重視先進(jìn)工藝的投資與開(kāi)發(fā)。2月20日，三星宣布韓國(guó)華城工業園一條專司EUV（極紫外光刻）技術的晶圓代工生産線V1實現量産。據了解，V1生産線于2018年2月動工，2019年下半年開(kāi)始測試晶圓生産，首批産品今年第一季度向(xiàng)客戶交付。目前，V1已經(jīng)投入7納米和6納米 EUV移動芯片的生産工作，規劃未來可以生産3納米的産品。三星制造業務總裁ES Jung稱，V1産線將(jiāng)和S3生産線一道(dào)，幫助公司拓展客戶，響應市場需求。

台積電對(duì)先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā)同樣重視。在2020年1月召開(kāi)的法說會上，台積電表示將(jiāng)增加2020年的資本支出，從原訂的110億美元，上修至140億美元～150億美元，其中80% 將(jiāng)投入先進(jìn)工藝産能(néng)的擴增，包括7納米、5納米及3納米等。而日前業内也傳出“英特爾將(jiāng)提前進(jìn)行7納米投資”的消息，英特爾2020年的設備投資計劃，不僅要增加現有14/10納米工藝的産能(néng)，還(hái)要對(duì)7/5納米工藝進(jìn)行投資。在2019年财報中，英特爾表示2020年計劃的資本支出約爲170億美元。

根據中芯國(guó)際财報，2019年第四季度14納米工藝已經(jīng)量産，并帶來了768萬美元的營收。在該次财報會議上，中芯國(guó)際聯席CEO梁孟松也首次公開(kāi)了中芯國(guó)際的N+1、N+2工藝的情況。中芯國(guó)際的N+1工藝和現有的14納米工藝相比，性能(néng)提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面(miàn)積縮小了63%，SoC面(miàn)積減少了55%。

5納米/6納米將(jiāng)成(chéng)今年競争焦點

如果說2019年先進(jìn)工藝的競争重點是7納米+EUV光刻工藝，那麼(me)2020年焦點將(jiāng)轉到5納米節點上。在高通發(fā)布X60基帶芯片之後(hòu)，路透社便援引兩(liǎng)名知情人士消息報道(dào)，三星的半導體制造部門赢得了高通的最新合同，將(jiāng)使用5納米工藝技術生産新發(fā)布的芯片。對(duì)此，有業内人士指出，三星EUV産線的投産以及成(chéng)功交付高通全球首個5納米産品骁龍X60基帶芯片，都(dōu)將(jiāng)給台積電帶來一定壓力。

此前三星在先進(jìn)工藝方面(miàn)與台積電的競争并不順利。2018年三星選擇了跳過(guò)LPE低功耗階段，直接進(jìn)入7納米 EUV的大膽策略，意圖在工藝技術上搶占先機。但是新工藝的良品率一直不高，使得大膽策略沒(méi)有奏效。而台積電仍采用傳統多次曝光技術，先行占領市場，取得了幾乎100%的7納米市場。不過(guò)三星顯然并沒(méi)有放棄對(duì)先進(jìn)工藝市場的開(kāi)發(fā)與争奪。2020年三星再次將(jiāng)重點轉移到5納米之上，顯然是有意再次向(xiàng)台積電發(fā)起(qǐ)挑戰。在1月份的投資者電話會議上，當被問及三星將(jiāng)如何與台積電競争時，三星晶圓高級副總裁Shawn Han表示，公司計劃通過(guò)“多元化客戶應用”來擴大5納米芯片産量。按照三星此前發(fā)布的工藝規劃，5納米工藝在2019年4月份開(kāi)發(fā)完成(chéng)，下半年實現首次流片，在2020年實現量産。

台積電對(duì)于5納米也同樣重視。根據台積電此前的披露，5納米工藝2019年上半年導入試産，2020年上半年實現量産。台積電5納米投資250億美元，月産能(néng)5萬片，之後(hòu)再擴充至7萬～8萬片。根據設備廠商消息，下半年台積電5納米接單已滿，除蘋果新一代A14應用處理器外，還(hái)包括華爲海思新款麒麟芯片等。即使是三星已經(jīng)拿下高通5納米訂單，也不代表台積電就會失去高通的訂單。事(shì)實上，高通一直以來就是把晶圓代工訂單交由台積電和三星等多家廠商生産的。此外，台積電還(hái)規劃了一個5納米工藝的加強版，有點像7納米節點的N7+。資料顯示，5納米加強版在恒定功率下可提高7%的性能(néng)，降低15%的功率。預計該工藝平台將(jiāng)在2021年量産。

6納米是今年競争的另一個重點。紫光展銳最新發(fā)布的5G芯片虎贲T7520就采用了台積電的6納米工藝，相較7納米工藝，晶體管密度提升18%，功耗下降8%。根據台積電中國(guó)區業務發(fā)展副總經(jīng)理陳平的介紹，6納米是7納米的延伸和擴展。台積電于2018年量産7納米工藝，2019年量産7納米+EUV的升級版，在芯片的部分關鍵層生産中導入EUV設備，從而減少光罩的采用，降低成(chéng)本，提高制造效率。6納米工藝平台則是7納米工藝的另一個升級版。由于它可以利用7納米的全部IP，此前采用7納米的客戶可以更加便捷地導入，在提高産品性能(néng)的同時兼顧了成(chéng)本。

3納米或需探索新的工藝架構

3納米有可能(néng)是半導體大廠間先進(jìn)工藝之争的下一個重要節點。半導體專家莫大康指出，真正發(fā)生重大變革的是3納米，因爲從3納米開(kāi)始半導體廠商會放棄FinFET架構轉向(xiàng)GAA晶體管。

莫大康表示，市場預測5納米可能(néng)與10納米相同，是一個過(guò)渡節點，未來將(jiāng)迅速轉向(xiàng)3納米。但是現在半導體公司采用的FinFET架構已不再适用3納米節點，需要探索新的工藝架構。

也就是說，在這(zhè)個技術岔道(dào)口，三星有可能(néng)對(duì)台積電發(fā)起(qǐ)更強力的挑戰。三星在“2019三星代工論壇”（Samsung Foundry Forum 2019）上，曾發(fā)布新一代閘極環栅（GAA，Gate-All-Around）工藝。因此，外界預計三星將(jiāng)在3納米節點使用GAA環栅架構工藝。三星電子的半導體部門表示，基于GAA工藝的3納米芯片面(miàn)積可以比最近完成(chéng)開(kāi)發(fā)的5納米産品面(miàn)積縮小35%以上，耗電量減少50%，處理速度可提高30%左右。

台積電則在2018年宣布投資6000億元新台币，興建3納米工廠，計劃在2020年動工，最快于2022年年底開(kāi)始量産。在2019年第一季度的财報法說會上，台積電曾披露其3納米技術已經(jīng)進(jìn)入全面(miàn)開(kāi)發(fā)階段。不過(guò)到目前爲止，台積電仍未公開(kāi)其3納米節點的工藝路線。外界估計，台積電有可能(néng)要在今年4月29日舉行的“北美技術論壇”上才會公布3納米的細節。屆時，台積電與三星的3納米工藝之争將(jiāng)會進(jìn)入一個新的階段。

3月1日，三星電子宣布將(jiāng)在越南建設研發(fā)中心，總投資2.2億美元，預期在2022年建成(chéng)，研發(fā)中心將(jiāng)容納2,200到3,000名員工。

三星是越南最大的海外投資廠商，涉及産品研發(fā)、生産的總投資爲170億美元，越南是三星智能(néng)手機主要的生産基地，研發(fā)中心的投資計劃將(jiāng)擴大三星在東南亞的産業布局。三星越南研發(fā)中心總投資2.2億美元，計劃招募2,200到3,000名員工，專注于人工智能(néng)、物聯網、5G等領域的研發(fā)，預期在2022年建成(chéng)，將(jiāng)成(chéng)爲三星在東南亞最大的研發(fā)中心。

越南當地政府确認了三星研發(fā)中心的建設計劃。

三星在越南共擁有8個制造工廠，智能(néng)手機和零配件的出口金額占了越南年出口貿易金額的25%。受肺炎疫情影響，三星越南工廠在2020年的營收不容樂觀，部分工廠使用的原材料來自中國(guó)大陸，在各國(guó)防疫嚴控海關物流時，原材料難以從中國(guó)大陸運到越南，特别是陸運受阻比較嚴重，任何從中國(guó)大陸入境越南的人都(dōu)必須隔離兩(liǎng)周時間，主要關口的關閉導緻數百輛卡車堵塞在跨境公路上。

三星電子預期如果跨境物流的問題無法在短期内得到改善，越南工廠的營收有可能(néng)下降50%，爲保障新款Galaxy S20旗艦智能(néng)手機的生産，三星將(jiāng)部分零組件從中國(guó)大陸空運到越南，纾解零組件的需求，但生産成(chéng)本會顯著提升，也無法滿足長(cháng)期的生産需求。越南電子商會發(fā)表報告稱，如果肺炎疫情在未來一個月的時間内不能(néng)得到緩解，工廠的生産不得不面(miàn)臨零組件緊缺的問題，庫存耗盡，電視、手機等産品的産量將(jiāng)大幅下降。

2月26日消息，據國(guó)外媒體報道(dào)，周三，半導體技術公司三星電子表示，去年，該公司的研發(fā)支出達到創紀錄的20.1萬億韓元（合165億美元），與2018年相比增長(cháng)了8.3%。

雖然三星電子的研發(fā)支出在2019年出現大幅增長(cháng)，但該公司的營收和營業利潤同比均出現了下滑。

去年，三星電子的營收同比下降了5.5%，至230.4萬億韓元（約合1956億美元）；營業利潤同比下降了52.8%，至27.76萬億韓元（約合235.6億美元）。

2019年，該公司的研發(fā)支出占其營收的比例達到了8.8%，與上年相比提升了1.1個百分點。據估計，三星電子的大部分研發(fā)支出都(dōu)花在了系統芯片和下一代顯示面(miàn)闆的開(kāi)發(fā)上。

作爲全球最大的存儲芯片制造商，該公司在去年4月宣布，到2030年，它將(jiāng)投資133萬億韓元（1093.26億美元），成(chéng)爲系統芯片領域的領軍企業。

去年10月，三星電子旗下的面(miàn)闆制造商三星顯示器公司（Samsung Display）宣布，到2025年，將(jiāng)投資110億美元生産量子點（QD）顯示屏。

該公司在一份聲明中表示，這(zhè)110億美元投資的重點是，將(jiāng)韓國(guó)一條LCD生産線轉變爲大規模生産更先進(jìn)的“量子點”顯示屏的設施。

去年11月，外媒報道(dào)稱，三星電子的研究人員已經(jīng)研發(fā)出一種(zhǒng)延長(cháng)量子點發(fā)光二極管（QLED）壽命和效率的新方法。

TFT-LCD、AMOLED以及包括柔性顯示等新型顯示技術，它們的基礎技術都(dōu)是半導體技術，都(dōu)可統稱爲半導體顯示。半導體顯示可定義爲通過(guò)半導體器件獨立控制每個最小顯示單元的顯示技術統稱。

與此同時，三星電子表示，由于業績不佳，該公司去年的稅收支出達到8.6萬億韓元（約合71億美元），與上年相比下降48.3%。

2月25日，三星電子宣布，已開(kāi)始在韓國(guó)京畿道(dào)平澤市的工廠批量生産業界首款用于下一代高級智能(néng)手機的16GB LPDDR5移動DRAM芯片。

三星表示，在2019年7月量産業界首個12GB LPDDR5之後(hòu)，新的16GB改進(jìn)將(jiāng)引領高端移動存儲市場，并增加容量以增強5G和AI功能(néng)，包括豐富的圖形遊戲和智能(néng)攝影功能(néng)。

官方資料顯示，該款LPDDR5移動DRAM芯片包括8個12Gb芯片和4個8Gb芯片，數據傳輸速率爲每秒5500Mbps，與前一代的8GB LPDDR4X DRAM芯片相比，新的移動DRAM容量提高了兩(liǎng)倍，而耗電量節省了20％。

随着三星繼續在其平澤基地擴大LPDDR5移動DRAM生産，該公司計劃在今年下半年采用第三代10nm級（1z）制程技術批量生産16Gb LPDDR5産品，三星表示，此舉有望使其進(jìn)一步鞏固其在高端移動設備，高端PC和汽車應用等市場中的競争優勢。

近年以來，三星的領導層發(fā)生了很大變動，部分原因是受到醜聞的影響，或是該公司重新思考戰略。該公司最新的一次重組屬于後(hòu)一類——這(zhè)家韓國(guó)企業集團希望讓自己變得更加靈活。因此，三星已經(jīng)任命51歲的Galaxy設備負責人盧泰文（Roh Tae-Moon）爲智能(néng)手機部門的新任負責人，從而使其成(chéng)爲了該公司最年輕的一位總裁。

盧泰文之前是三星智能(néng)手機部門的二把手，以其身爲大獲成(chéng)功的中低端Galaxy設備背後(hòu)的主導力量之一而聞名。由于他作出了削減成(chéng)本的努力，這(zhè)些手機成(chéng)功地與中國(guó)制造商展開(kāi)了競争，幫助三星鞏固了全球最大Android手機銷售商的地位。但是，由于智能(néng)手機市場是不斷變化的，三星知道(dào)自己的移動部門需要一位思維敏捷的領導者，而盧泰文看起(qǐ)來就是個合适人選。

另外，三星還(hái)希望通過(guò)盧泰文的指導來減少不幸事(shì)件，比如說Galaxy Fold推遲發(fā)布或Note 7爆炸等。彭博社認爲，之所以會發(fā)生這(zhè)些事(shì)件，是因爲前移動部門負責人及聯席CEO高東真（Koh Dong Jin）傾向(xiàng)于倉促行事(shì)。高東真將(jiāng)繼續負責三星旗下IT和移動通信部門，其中包括移動部門。

作爲摩爾定律最忠實的追随者與推動者，台積電、三星已經(jīng)挑起(qǐ)3nm的戰局。據悉，三星已經(jīng)完成(chéng)了首個3nm制程的開(kāi)發(fā)，計劃2022年規模生産3nm芯片，此前台積電也計劃2022年量産3nm。如無意外，3nm芯片將(jiāng)在後(hòu)年到來，對(duì)半導體産業鏈提出新的挑戰。

雙雄劍指3nm

《韓國(guó)經(jīng)濟》雜志稱，三星已成(chéng)功研發(fā)出首個基于GAAFET的3nm制程，預計2022年開(kāi)啓量産。與7nm工藝相比，3nm工藝可將(jiāng)核心面(miàn)積減少45%，功耗降低50%，性能(néng)提升35%。

按照三星的研發(fā)路線圖，在6nm LPP之後(hòu)，還(hái)有5nm LPE、4nm LPE兩(liǎng)個節點，随後(hòu)進(jìn)入3nm節點，分爲GAE（GAA Early）以及GAP（GAA Plus）兩(liǎng)代。去年5月，三星的3nm GAE設計套件0.1版本已經(jīng)就緒，以幫助客戶盡早啓動3nm設計。三星預計該技術將(jiāng)在下一代手機、網絡、自動駕駛、人工智能(néng)及物聯網等設備中使用。

以2022年量産爲目标的台積電，也在按計劃推進(jìn)3nm研發(fā)。台積電首席執行官CC Wei曾表示，台積電在3nm節點技術開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，已經(jīng)與早期客戶進(jìn)行接觸。台積電投資6000億新台币的3nm寶山廠也于去年通過(guò)了用地申請，預計2020年動工，2022年量産。

台積電在7nm節點取得了絕對(duì)優勢，在5nm也進(jìn)展順利，獲得了蘋果A14等訂單。但三星并沒(méi)有放松追趕的腳步，計劃到2030年前在半導體業務投資1160億美元，以增強在非内存芯片市場的實力。台積電創始人張忠謀日前對(duì)媒體表示，台積電與三星的戰争還(hái)沒(méi)有結束，台積電隻是赢得了一兩(liǎng)場戰役，可整個戰争還(hái)沒(méi)有赢，目前台積電暫時占優。

制程如何走下去

衆所周知，制程越小，晶體管栅極越窄，功耗越低，而集成(chéng)難度和研發(fā)成(chéng)本也將(jiāng)成(chéng)倍提高。3nm是一個逼近物理極限的節點，半導體業内專家莫大康向(xiàng)《中國(guó)電子報》記者表示，3nm是一個焦點，不能(néng)僅靠台積電、三星的推進(jìn)，還(hái)要看制造商和設備商等産業鏈各個環節的努力，例如環栅結構（GAA）的導入，EUV的高數值孔徑鏡頭等。

3nm首先對(duì)芯片設計和驗證仿真提出了新的挑戰。集邦咨詢分析師徐紹甫向(xiàng)記者表示，制程微縮至3nm以下，除了芯片面(miàn)積縮得更小，芯片内部信号如何有效傳遞是一大關鍵。設計完成(chéng)後(hòu)，如何确保驗證和仿真流程的時間成(chéng)本不會大幅增加，也是芯片設計的一大挑戰，需要EDA從業者的共同努力。此外，在做出更小的線寬線距之後(hòu)，量産和良率拉擡是非常困難的事(shì)，需要制程技術的不斷優化。

爲了更快實現制程叠代和産能(néng)拉升，三星研發(fā)了專利版本GAA，即MBCFET（多橋道(dào)FET）。據三星介紹，GAA基于納米線架構，由于溝道(dào)更窄，需要更多的堆棧。三星的MBCFET則采用納米片架構，由于溝道(dào)比納米線寬，可以實現每堆棧更大的電流，讓元件集成(chéng)更加簡單。通過(guò)可控的納米片寬度，MBCFET可提供更加靈活的設計。而且MBCFET兼容FinFet，與FinFet使用同樣的制作技術和設備，有利于降低制程遷移的難度，更快形成(chéng)産能(néng)。

3nm也對(duì)光刻機的分辨率及套刻能(néng)力提出了更高要求。針對(duì)3nm節點，ASML將(jiāng)在NXE 3400C的下一代機型導入0.55高數值孔徑，實現小于1.7nm的套刻誤差，産能(néng)也將(jiāng)提升至每小時185片晶圓以上，量産時間在2022—2023年。徐紹甫表示，3nm對(duì)于光刻機曝光穩定度與光阻劑潔淨度的要求更加嚴苛。加上3nm需要多重曝光工藝，增加了制程數目，也就意味缺陷産生機率會提高，光刻機參數調校必須縮小誤差，降低容錯率。另外，清洗潔淨度、原子層蝕刻機與原子層成(chéng)膜機等設備的精度也要提高。

針對(duì)5nm及以下節點的封裝，台積電完成(chéng)了對(duì)3D IC工藝的開(kāi)發(fā)，預計2021年導入3D封裝。3D IC能(néng)在單次封裝堆疊更多的芯片，提升晶體管容量，并通過(guò)芯片之間的互聯提升通信效率。賽迪智庫集成(chéng)電路研究所高級分析師王珺、馮童向(xiàng)記者表示，台積電的中道(dào)工藝主要是通過(guò)制造和封裝的緊密結合提高晶體管密度，會是發(fā)展路徑之一，可進(jìn)行模塊化組裝的小芯片（Chiplet）也是比較熱門的發(fā)展路徑。

何爲增長(cháng)驅動力

2014—2019年，手機和高性能(néng)運算推動着先進(jìn)制程按照一年一節點的節奏，從14nm走向(xiàng)5nm。中芯國(guó)際聯合CEO趙海軍表示，成(chéng)功的研發(fā)方法，不變的FinFet架構、設備和材料的配合，是推動14nm向(xiàng)5nm發(fā)展的重要因素。

目前來看，手機和高性能(néng)計算依舊是推動摩爾定律前進(jìn)的重要動力。徐紹甫指出，在應用層面(miàn)上，智能(néng)手機是3nm制程的重要戰場，手機芯片從業者能(néng)負擔高昂的研發(fā)經(jīng)費，龐大的市場總量也能(néng)夠分擔其研發(fā)費用。另外，HPC應用，如CPU與GPU等，需要3nm制程來提升性能(néng)表現。芯謀研究總監王笑龍表示，3nm將(jiāng)主要面(miàn)向(xiàng)對(duì)高速數據處理和傳輸有需求的産品，如CPU、網絡交換機、移動通信、FPGA和礦機等。

3nm不是先進(jìn)制程的終點，台積電對(duì)2nm已經(jīng)有所規劃，將(jiāng)以2024年量産爲目标進(jìn)行研發(fā)。比利時微電子研究中心（IMEC）在2019年10月召開(kāi)的技術論壇上曾展示邁向(xiàng)1nm工藝節點的技術路線圖。王珺、馮童表示，伴随高數值孔徑EUV光刻機、選擇性化學(xué)蝕刻劑、原子層精确沉積技術等的應用，未來10年，摩爾定律將(jiāng)繼續延續。

制程要走下去，需要工藝路徑的探索，也需要找到相應的商業場景。王笑龍向(xiàng)記者表示，對(duì)于資金密集型工藝，如果無法在消費市場得到應用，就難以收回成(chéng)本，也不具備經(jīng)濟價值。徐紹甫表示，2nm之後(hòu)的應用性與必要性還(hái)難以定義，從實驗室走向(xiàng)量産具有相當的難度，必須具備獲利能(néng)力才具有開(kāi)發(fā)意義，在材料選擇、制程技術、後(hòu)段晶圓封裝上勢必要持續優化。