上周，台積電在2020年第1季法人說明會上宣布，其3納米制程將(jiāng)在2021年試産，并在2022年下半年正式量産，同時宣布3納米制程將(jiāng)仍采仍采原有的FinFET（鳍式場效電晶體），不采用與競争對(duì)手三星相同的GAA（環繞閘極電晶體）。而爲何台積電的3納米將(jiāng)持續采FinFET的原因，是不是因爲良率或成(chéng)本的因素。對(duì)此，台積電并沒(méi)有給答案。
台積電原定在4月29日于北美技術論壇發(fā)表的相關3納米技術細節，目前因疫情的關系，將(jiāng)延後(hòu)到8月召開(kāi)。因此，預計台積電3納米制程仍采原有的FinFET，不采用與競争對(duì)手三星相同的GAA的原因，屆時會有比較清楚的了解。不過(guò)，對(duì)台積電3納米的效能(néng)，現在國(guó)外媒體已有所報導，指稱台積電3納米制程的每平方公厘電晶體數量可能(néng)低于3億個，也就是約在2.5億個。
根據國(guó)外科技媒體《Gizchina》報導指出，過(guò)去采用台積電7納米EUV加強版制程的華爲麒麟990處理器，芯片大小爲113.31平方公厘，電晶體數量爲103億個，平均每平方公厘約爲9,000萬個。而在3納米制程技術的電晶體數量至少爲7納米制程的3倍情況下，將(jiāng)使得3納米制程芯片的電晶體數量將(jiāng)大約爲每平方公厘2.5億個左右，而這(zhè)樣的先進(jìn)制程足以將(jiāng)過(guò)去的Pentium 4處理器縮小到如一根針大小。
報導進(jìn)一步指出，之前台積電總裁魏哲家就曾經(jīng)表示，3納米制程是在5納米制程之後(hòu)，在制程技術的完整世代技術跨越，相較第一代5納米制程技術，第一代的3納米制程技術的電晶體密度將(jiāng)提升約70%，預算速度提升10%到15%，能(néng)耗降低15%，使得芯片的整體性能(néng)提升25%~30%，這(zhè)使得3納米制程技術將(jiāng)進(jìn)一步達成(chéng)台積電在芯片制造技術方面(miàn)的領導地位。
之前，外媒曾經(jīng)在2019年10月報導表示，台積電生産3納米制程的工廠已經(jīng)開(kāi)始建設，工廠占地50~80公頃，預計花費195億美元。對(duì)此，在日前台積電的法說會上，魏哲家也強調3納米制程技術的研發(fā)正在按計劃進(jìn)行中，預計2021年進(jìn)行試産，而最終的目标是在2022年下半年大規模量産。而對(duì)于3納米制程將(jiāng)仍采仍采原有FinFET，不采與競争對(duì)手三星相同的GAA，雖然外傳台積電是基于成(chéng)本與良率因素，但台積電并沒(méi)有明确說明。不過(guò)此問題預計延後(hòu)于8月舉行的北美技術論壇將(jiāng)明确公布。