6月1日，三星電子 (Samsung Electronics) 宣布，將(jiāng)在京畿道(dào)平澤工業園區投建先進(jìn)的NAND Flash閃存生産線。該擴建工程于今年5月開(kāi)始，將(jiāng)爲2021年下半年大規模生産三星的尖端V-NAND存儲器鋪平道(dào)路。
據三星官方消息指出，新工廠位于韓國(guó)平澤2号線内，計劃于2021年2月量産，將(jiāng)專門用于制造三星最先進(jìn)的V-NAND存儲器。
在不久前，5月21日，三星電子官方宣布了將(jiāng)在平澤市再投建一條全新的晶圓代工生産線，以滿足全球對(duì)極紫外光刻技術 (EUV) 的需求。時隔10天，三星再次宣布新的NAND Flash産線投資計劃。
雖然官方暫未公布具體投資金額，但業界推測該新晶圓代工生産線和NAND生産線的投資規模，或分别達到10萬億和8萬億韓元。
三星電子表示，此次投資旨在應對(duì)随着人工智能(néng) (AI)、物聯網 (IoT) 、以及5G的普及而帶來的NAND需求。業者認爲，三星電子近期連續宣布的投資計劃，尤其是在目前新冠疫情重創全球經(jīng)濟的情況下，反映出其欲在全球閃存市場繼續拉大優勢的決心。
目前，EUV晶圓代工生産和NAND閃存生産所需的潔淨室已在着手建設中，争取在2021年下半年可以投産5納米EUV芯片及V-NAND閃存産品。