據韓國(guó)媒體報道(dào)，三星電子準備在韓國(guó)平澤新建一個大型半導體生産基地，并計劃在9月份啓動工廠建設。
報道(dào)指出，三星P3工廠的生産制造規模將(jiāng)比P2工廠增加50%，預計將(jiāng)采取“綜合半導體工廠”的形式，同時生産DRAM，NAND閃存和系統半導體，并有望采用最新工藝。P3工廠預計將(jiāng)在2021年第三季度竣工，投入量産時間將(jiāng)從2021年底開(kāi)始。
三星電子是全球最大的存儲器廠商，根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)此前發(fā)布的NAND Flash和DRAM廠商營收排名顯示，2020年第一季度，三星電子在NAND Flash和DRAM市場的營收分别爲45.01億美元和65.37億美元，均排名第一。
目前，三星電子在韓國(guó)平澤設有名爲“P1”和“P2”的半導體工廠，其中P2是新工廠，已于去年竣工。
6月初，三星電子曾宣布，將(jiāng)在京畿道(dào)平澤工業園區投建先進(jìn)的NAND Flash閃存生産線。該擴建工程于今年5月開(kāi)始，將(jiāng)爲2021年下半年大規模生産三星的尖端V-NAND存儲器鋪平道(dào)路。據三星官方當時消息指出，新工廠位于韓國(guó)平澤2号線内，計劃于2021年2月量産，將(jiāng)專門用于制造三星最先進(jìn)的V-NAND存儲器。