針對(duì)美國(guó)商務部工業和安全局5月15日公布之最新規範對(duì)晶圓代工産業的影響，集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新分析指出，雖然目前相關法規仍有進(jìn)一步解釋的空間，但從已知規範來看，在5月15日後(hòu)若要額外增加投片，皆需要經(jīng)過(guò)核準。加上美國(guó)對(duì)于華爲或其他中國(guó)品牌的規範力道(dào)不排除將(jiāng)持續增強，因此對(duì)于晶圓代工廠的後(hòu)續影響可能(néng)不容樂觀。
根據集邦咨詢調查，目前海思在台積電投片占比約兩(liǎng)成(chéng)左右，主要爲16/12nm（含）以下先進(jìn)制程，”其中16/12nm”産品以5G基站相關芯片爲主，另有中端4G智能(néng)手機SoC- Kirin 710（海思今年已有小量Kirin710轉投片至中芯國(guó)際14nm制程）。
以中芯國(guó)際産能(néng)來看，14nm目前主要生産海思Kirin 710，2020年第二季每月産能(néng)平均約5K。雖然近日中芯國(guó)際旗下中芯南方獲得中國(guó)國(guó)家集成(chéng)電路基金II（大基金二期）及上海集成(chéng)電路基金II投資約22.5億美元，并宣布中芯國(guó)際産能(néng)將(jiāng)以增加至每月35K爲目标，相較原先規劃2020年底15K的産能(néng)增加約20K，但集邦咨詢認爲，考量中芯國(guó)際14nm良率還(hái)未有效改善，現階段對(duì)海思而言，在16nm（含）以下先進(jìn)制程台積電的地位仍難取代。
兩(liǎng)大芯片代工夥伴皆受限，寬限期過(guò)後(hòu)可能(néng)沖擊華爲終端産品生産
若台積電在短期内未獲得美方許可，且海思後(hòu)續産品持續被禁止投片，在寬限期120天過(guò)後(hòu)，可能(néng)導緻台積電第三季16/12nm以下先進(jìn)制程産能(néng)利用率受到明顯沖擊。即使市場預期AMD、NVIDIA及聯發(fā)科等強勁的5G、HPC需求將(jiāng)持續挹注7nm投片，但集邦咨詢認爲仍難以完全補足海思的缺口。
綜上所述，限制使用美國(guó)設備生産華爲（海思）芯片短期内將(jiāng)對(duì)台積電造成(chéng)不小的影響。而且規範并未指明針對(duì)台積電，因此同樣使用美國(guó)設備制造半導體芯片的中芯國(guó)際，甚至其他半導體晶圓代工廠都(dōu)將(jiāng)同樣受到出貨限制。