在2019年存儲器相關投資大幅下跌之後(hòu)，市場預期2020年新存儲器容量投資將(jiāng)急劇增加。受邏輯半導體制造商之間的競争所推動，邏輯芯片尺寸持續擴大，新設備相關需求也推動了EUV光刻機的量産，爲半導體設備産業帶來更多的動能(néng)。
展望2020年，相對(duì)2019年的下跌，存儲器設備投資預期將(jiāng)會有所增加。考量到近期存儲器供需狀況的改善，除非相關投資能(néng)在今年第二季有所回升，否則2021年恐將(jiāng)面(miàn)臨存儲器供應嚴重短缺。因此，主要存儲器制造商預期將(jiāng)在今年下半年加大投資。
《Business Korea》報導，三星電子DRAM存儲器容量將(jiāng)以50k wpm的速度增長(cháng)，而NAND則將(jiāng)以85k wpm的速度增長(cháng)，SK海力士的DRAM的存儲器容量將(jiāng)以30k wpm的速度增長(cháng)，從這(zhè)些數據來推斷，主要的存儲器設備制造商有可能(néng)在2020年創下有史以來最強勁的獲利。
另一方面(miàn)，芯片尺寸的增加，以及EUV光刻技術引入DRAM制程中，也有利于半導體設備産業。在邏輯芯片制造商之間的競争推動下，邏輯芯片的尺寸持續擴大。基于固定容量，随着芯片尺寸的增加，芯片出貨量將(jiāng)會下跌，也將(jiāng)推動容量相關投資。2020年，英特爾(INTC-US)計劃投資170億美元，使産能(néng)年增25%。台積電也計劃進(jìn)行150億美元的投資，較2018年增加50%。
新創獨角獸公司Cerebras日前推出了全球最大的電腦芯片-晶圓級引擎(Wafer-Scale Engine，WSE)，标志半導體産業的重要裡(lǐ)程碑，芯片尺寸的大幅度增加也將(jiāng)提高AI運算能(néng)力，WSE芯片是由台積電16納米制程打造的300mm晶圓切割而成(chéng)。
近期5納米邏輯芯片和1Z納米DRAM制程引入EUV設備也將(jiāng)使半導體設備産業受益。台積電如今正在引入4至5層EUV光罩層，用在包括5納米EUV光刻技術、孔洞陣列(hole arrays)等。