此前處理器龍頭廠商英特爾(Intel)的财務長(cháng)George Davis在公開(kāi)場合表示，目前除了10納米産能(néng)正在加速之外，英特爾還(hái)將(jiāng)恢複制程技術領先的關鍵部分寄望在未來更先進(jìn)制程的發(fā)展上，包括英特爾將(jiāng)在2021年推出7納米制程技術，并且將(jiāng)在7納米制程的基礎上發(fā)展出5納米制程。對(duì)于英特爾5納米制程的發(fā)展，現在有外媒表示，在這(zhè)個節點上英特爾將(jiāng)會放棄FinFET電晶體，轉向(xiàng)GAA電晶體。
根據外媒《Profesionalreview》的報導表示，随着制程技術的升級，芯片的電晶體制作也面(miàn)臨着瓶頸。英特爾最早在22納米的節點上首先使用了FinFET電晶體技術，當時叫(jiào)做3D電晶體，就是將(jiāng)原本平面(miàn)的電晶體，變成(chéng)立體的FinFET鳍式場效電晶體，不僅提高了芯片的性能(néng)，也降低了功耗。之後(hòu)，FinFET電晶體也成(chéng)爲全球主要晶圓廠制程發(fā)展的選擇，一直用到現在的7納米及5納米制程節點上。
作爲之前先進(jìn)制程的領導者，英特爾曾提到目前5納米制程正在研發(fā)中。隻是，對(duì)于制程的發(fā)展并沒(méi)有公布詳情。因此，根據《Profesionalreview》的報導，英特爾在5納米節點上將(jiāng)會放棄FinFET電晶體，轉向(xiàng)GAA環繞栅極電晶體。
報導強調，目前在GAA電晶體上也有多種(zhǒng)技術發(fā)展路線。如之前三星提到自家的GAA電晶體相較于第一代的7納米制程來說，能(néng)夠提升芯片35%的性能(néng)，并且降低50%的功耗以及45%的芯片面(miàn)積。對(duì)于三星而言，GAA電晶體就已經(jīng)有這(zhè)樣的效能(néng)，而英特爾在技術實力上會比三星要更加強大，未來英特爾在GAA電晶體的發(fā)展上，期提升效能(néng)應該會更加明顯。
報導進(jìn)一步強調，如果能(néng)在5納米制程節點上進(jìn)一步采用GAA電晶體，則日前英特爾财務長(cháng)所強調的“英特爾將(jiāng)在5納米制程節點上重新奪回領導地位”的說法就可能(néng)比較容易實現。
至于，另一個市場上的強勁競争對(duì)手台積電，目前在2020年首季準備量産5納米制程上，依舊采用FinFET電晶體。但是，到了下一世代的3納米節點，目前台積電還(hái)尚未公布預計的制程方式。根據台積電官方的說法，其3納米相關細節將(jiāng)會在2020年的4月29日的的北美技術論壇上公布。
另外，英特爾5納米制程的問世時間目前也還(hái)沒(méi)明确的時間表。不過(guò)，英特爾之前提到7納米之後(hòu)制程技術發(fā)展周期將(jiāng)會回歸以往的2年升級的節奏上，因此就是表示最快2023年就能(néng)見到英特爾的5納米制程技術問世。