4月8日零時,武漢市正式解除離漢離鄂通道(dào)管控措施,而位于武漢的國(guó)家存儲器基地長(cháng)江存儲的研發(fā)進(jìn)展以及受疫情影響情況受到業内的高度關注。

據證券時報報道(dào),針對(duì)長(cháng)江存儲最先進(jìn)128層3D NAND技術的研發(fā)進(jìn)度,長(cháng)江存儲CEO楊士甯表示,研發(fā)進(jìn)度在短期确實會有所波及。不過(guò),目前長(cháng)江存儲已實現全員複工,各項進(jìn)度正在抓緊追趕,從中長(cháng)期來看,這(zhè)次疫情并不會影響總體進(jìn)度。同時,128層技術會按計劃在2020年推出。

資料顯示,長(cháng)江存儲成(chéng)立于2016年7月,肩負國(guó)家存儲器芯片生産重任,負責3D NAND閃存設計制造一體化。

2017年10月,長(cháng)江存儲通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結合的方式,成(chéng)功設計制造了中國(guó)首款3D NAND閃存;2019年9月,搭載長(cháng)江存儲自主創新Xtacking架構的64層TLC 3D NAND閃存正式量産。

2020年1月16日,在長(cháng)江存儲召開(kāi)的市場合作夥伴年會上,楊士甯曾表示,長(cháng)江存儲已規劃2020年將(jiāng)提供嵌入式存儲、固态硬盤(SSD)等完整解決方案産品,面(miàn)向(xiàng)更多通訊、系統整機客戶。自長(cháng)江存儲2019年三季度量産第二代64層3D NAND閃存到現在,市場總體給予了正面(miàn)積極的評價,下一步,長(cháng)江存儲的第三代産品將(jiāng)跳過(guò)96層,直接上128層堆疊閃存。

上海證券報此前也報道(dào)指出,大基金二期正在緊鑼密鼓推進(jìn)過(guò)程中,湖北後(hòu)續還(hái)有一批重大項目,比如說要重點支持長(cháng)江存儲一期迅速提高産能(néng),同時擇機聯合各方出資人啓動長(cháng)江存儲二期。