才與台積電進(jìn)行專利訴訟官司和解，并簽訂10年交互授權協議的晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設計廠SiFive正在合作研發(fā)將(jiāng)高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能(néng)DRAM。12LP+FinFET解決方案將(jiāng)提供2.5D封裝設計服務，可加速人工智能(néng)（AI）應用上市時間。
格芯表示，爲了實現資料密集AI訓練應用的容量和頻寬，系統設計師面(miàn)臨在同時保持合理的功率标準下，將(jiāng)更多的頻寬壓縮到較小區域的艱钜挑戰。因此，格芯的12LP平台和12LP+解決方案，搭配SiFive的定制化高頻寬存儲器介面(miàn)，能(néng)使高頻寬存儲器輕松整合到系統單芯片（SoC）解決方案，從而在運算和有線基礎設施市場中，爲AI應用提供快速、節能(néng)的數據處理。
另外，作爲合作的一部分，設計人員還(hái)能(néng)使用SiFive的RISC-V IP産品組合和DesignShare IP生态系統，運用格芯12LP+設計技術協同優化（DTCO），大幅提高芯片的專門化，改善設計效率，在迅速又具成(chéng)本效益的情況下提供差異化的SoC解決方案。
格芯進(jìn)一步指出，旗下的12LP+是一款針對(duì)AI訓練和推理應用的創新解決方案，爲設計人員提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM存取單元，支持處理器與存儲器之間快速、節能(néng)的數據傳輸。此外，用于2.5D封裝的新中介層有助于將(jiāng)高頻寬存儲器與處理器整合在一起(qǐ)，以實現快速、節能(néng)的數據處理。
目前，格芯正在位于美國(guó)紐約州馬爾他的8号晶圓廠，進(jìn)行SiFive用于12LP和12LP+的HBM2E介面(miàn)和客制IP解決方案的開(kāi)發(fā)。客戶將(jiāng)可在2020年上半年開(kāi)始進(jìn)行優化芯片設計，開(kāi)發(fā)針對(duì)高性能(néng)計算和邊緣AI應用的差異化解決方案。