格芯昨日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生産。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生産流片。此次公告是一個重要的行業裡(lǐ)程碑，表明eMRAM可在物聯網(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能(néng)和其他低功耗應用中作爲先進(jìn)工藝節點的高性價比選擇。
格芯的eMRAM産品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設計人員擴展現有物聯網和微控制器單元架構，以實現28nm以下技術節點的功率和密度優勢。
格芯的eMRAM是一款可靠的多功能(néng)嵌入式非易失性存儲器(eNVM)，已通過(guò)了5次嚴格的回流焊實測，在-40℃至125℃溫度範圍内具有100,000次使用壽命和10年數據保存期限。FDX eMRAM解決方案支持AEC-Q100 2級設計，且還(hái)在開(kāi)發(fā)工藝，預計明年將(jiāng)支持AEC-Q100 1級解決方案。
格芯汽車、工業和多市場戰略業務部門高級副總裁和總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們將(jiāng)繼續通過(guò)功能(néng)豐富的可靠解決方案實現差異化FDX平台，客戶可利用這(zhè)些解決方案來構建适用于高性能(néng)和低功耗應用的創新産品。我們的差異化eMRAM部署在業界先進(jìn)的FDX平台之上，可在易于集成(chéng)的eMRAM解決方案中實現高性能(néng)射頻、低功耗邏輯和集成(chéng)電源管理的獨特組合，幫助客戶提供新一代超低功耗MCU和物聯網應用。”
格芯攜手設計合作夥伴，即日起(qǐ)提供定制設計套件，包括通過(guò)芯片驗證的插入式MRAM模塊（4至48MB），以及MRAM内置自檢功能(néng)支持。
eMRAM是一種(zhǒng)可擴展功能(néng)，預計將(jiāng)在FinFET和未來的FDX平台上推出，作爲公司先進(jìn)eNVM路線圖的組成(chéng)部分。格芯位于德國(guó)德累斯頓1号晶圓廠的先進(jìn)300mm産品線將(jiāng)爲MRAM22FDX的量産提供支持。