集成(chéng)電路是培育戰略性新興産業、發(fā)展信息經(jīng)濟的重要支撐，在信息技術領域的核心地位十分突出。改革開(kāi)放後(hòu)，我國(guó)加快集成(chéng)電路産業建設，先後(hòu)啓動908工程、909工程等重大項目，集成(chéng)電路業實現高速發(fā)展。特别是黨的十八大以來，我國(guó)集成(chéng)電路産業實力得到快速提升。中國(guó)集成(chéng)電路産業銷售額從2013年的2508.5億元，增長(cháng)到2017年的5411.3億元，5年間增長(cháng)了一倍。2018年1—9月中國(guó)集成(chéng)電路産業銷售額爲4461.5億元，同比增長(cháng)22.4%。
IC設計龍頭帶動作用日趨明顯
IC設計是集成(chéng)電路産業鏈的龍頭，設計企業的發(fā)展直接影響着制造和封裝等産業鏈上下遊衆多環節。近幾年來，我國(guó)IC設計業發(fā)展非常迅速。中國(guó)半導體行業協會集成(chéng)電路設計分會的數據顯示，至2018年年底，全國(guó)共有1698家設計企業，比去年的1380家多了318家，數量增長(cháng)了23%。這(zhè)是2016年設計企業數量大增600多家後(hòu)，再次出現企業數量大增的情況。
從統計數量上看，除了北京、上海、深圳等傳統設計企業聚集地外，無錫、成(chéng)都(dōu)、蘇州、合肥等城市的設計企業數量都(dōu)超過(guò)100家，西安、南京、廈門等城市的設計企業數量接近100家，天津、杭州、武漢、長(cháng)沙等地的設計企業數量也有較大幅度的增加。
IC設計企業數量增長(cháng)的同時，規模以上企業也在增加。據中國(guó)半導體行業協會集成(chéng)電路設計分會理事(shì)長(cháng)魏少軍介紹，2018年預計有208家IC設計企業的銷售額超過(guò)1億元，比2017年的191家增加17家，增長(cháng)8.9%。同時，這(zhè)208家銷售過(guò)億元的企業銷售總和達到2057.64億元，比上年的1771.49億元增加了286.15億元，占全行業銷售總和的比例爲79.85%。
銷售額是衡量一個行業發(fā)展狀況的重要指标，我國(guó)IC設計業增速近年來一直保持兩(liǎng)位數水平，且遠高于國(guó)際平均水平，2018年同樣保持這(zhè)一态勢，銷售規模預計爲2576.96億元，比2017年的1945.98億元增長(cháng)32.42%，增速比上年的28.15%提高4.27個百分點。按照美元與人民币1∶6.8的兌換率，全年銷售額達到378.96億美元，在全球集成(chéng)電路設計業的占比將(jiāng)再次提高。
從産品類型上看，我國(guó)企業在通信芯片上的實力已逐步進(jìn)入國(guó)際一線陣營。紫光展銳已開(kāi)發(fā)出5G原型pilot-v2平台，將(jiāng)在2019年推出5G芯片，實現5G芯片的商用。2018年從事(shì)通信芯片設計的企業從2017年的266家增加到307家，對(duì)應的銷售總額提升了16.34%，達到1046.75億元。
此外，計算機芯片與消費類芯片也有較強增長(cháng)。從事(shì)計算機芯片設計的企業數量從去年的85家增加到109家，銷售大幅提升了180.18%，達到359.41億元。消費類電子的企業數量從上年的610家增加到783家，銷售增長(cháng)36.46%，達617.24億元，繼續保持了2017年的快速增長(cháng)勢頭。
建立了相對(duì)完整的産業鏈
設計的發(fā)展離不開(kāi)晶圓制造、封測、裝備、材料等産業鏈支撐，以往我國(guó)晶圓制造業技術距離國(guó)際先進(jìn)水平約有二代左右的差距，裝備、材料上的差距更大，但是經(jīng)過(guò)這(zhè)些年的追趕，已經(jīng)有了較大幅度的提高。
目前中國(guó)集成(chéng)電路已形成(chéng)了适合自身的技術體系，建立了相對(duì)完整的産業鏈，産業生态和競争力得到完善和提升，形成(chéng)了長(cháng)三角、珠三角、津京環渤海以及中西部地區多極發(fā)展的格局。目前，已建成(chéng)12英寸生産線10條，并有多條12英寸生産線處于建設當中，其中既包括中芯國(guó)際、華虹集團、武漢新芯等本土資本爲主導的企業，也包括英特爾、三星、格芯、台積電外資或台資投資(獨資或參股)的企業。
在制造工藝方面(miàn)，65納米、40納米、28納米工藝已經(jīng)量産，14納米技術研發(fā)取得突破，特色工藝競争力提高。存儲器是通用芯片之一，應用十分廣泛。我國(guó)在3D NAND技術研發(fā)上取得重大進(jìn)展和創新，以自主知識産權爲基礎開(kāi)展研發(fā)，提出新架構Xtacking。這(zhè)也是中國(guó)企業首次在集成(chéng)電路領域提出重要的新架構和技術路徑。
封裝業一直是國(guó)内實力較強的領域，近年來積極推進(jìn)先進(jìn)封裝的發(fā)展，從中低端進(jìn)入高端領域，競争力大幅提升。根據中國(guó)半導體行業協會封裝分會統計數據，2017年國(guó)内集成(chéng)電路封測業銷售收入由2016年的1523.2億元增加至1816.6億元，同比增長(cháng)19.3%，國(guó)内IC封測業規模企業爲96家，從業人數達15.6萬。長(cháng)電科技實現了高集成(chéng)度和高精度SiP模組的大規模量産，通富微電率先實現7nm FC産品量産，華天科技開(kāi)發(fā)了0.25mm超薄指紋封裝工藝，實現了射頻産品4G PA的量産。
關鍵裝備和材料則實現了從無到有的轉變，整體水平達到28納米，部分産品進(jìn)入14納米~7納米，被國(guó)内外生産線采用。近日，中微半導體自主研制的5納米等離子體刻蝕機在通過(guò)台積電驗證，性能(néng)優良，將(jiāng)用于全球首條5納米制程生産線。中微半導體打入台積電供應鏈，證明國(guó)産半導體設備力量正在逐漸壯大。
在此之前，台積電7納米芯片生産線也用上中微的刻蝕機。目前，國(guó)内關鍵裝備品種(zhǒng)覆蓋率達到31.1%，先進(jìn)封裝裝備品種(zhǒng)覆蓋率80%。
在材料方面(miàn)，200mm矽片産品品質顯著提升，高品質抛光片、外延片開(kāi)始進(jìn)入市場。300mm矽片産業化技術取得突破，90納米~65納米産品通過(guò)用戶評估，開(kāi)始批量銷售。測射耙材及超高純金屬材料取得整體性突破，形成(chéng)相對(duì)完整的耙材産品體系。銅和阻擋層抛光液國(guó)内市場占有率超過(guò)50%，并進(jìn)入國(guó)際市場。NF3、WF6等氣體産業化技術達到世界領先，國(guó)内市占率超過(guò)70%，并進(jìn)入國(guó)際市場。磷烷、砷烷和安全離子源産品形成(chéng)自主供應能(néng)力。
積極追蹤新材料技術步伐
新材料産業成(chéng)爲未來高新技術産業發(fā)展的先導和基石，其中，寬禁帶半導體材料是新材料的代表之一。黨的十八大以來，我國(guó)掀起(qǐ)了寬禁帶功率半導體材料和器件的産業化浪潮。2016年12月，國(guó)務院成(chéng)立了國(guó)家新材料産業發(fā)展領導小組。近年來，在國(guó)内企業、科研院所、高等院校等共同的努力下，建成(chéng)或正在建設十餘條4英寸～6英寸碳化矽芯片工藝線和6英寸～8英寸矽基氮化镓芯片工藝線，形成(chéng)了技術積累，縮小了與國(guó)外先進(jìn)水平的差距。
我國(guó)碳化矽外延材料的研發(fā)和産業化水平緊緊跟随國(guó)際水平，産品已打入國(guó)際市場。在産業化方面(miàn)，我國(guó)20μm及以下的碳化矽外延材料産品水平接近國(guó)際先進(jìn)水平;在碳化矽功率器件上，我國(guó)具備了1200V～3300V SiC MOSFET、1200V～4500V SiC JFET等芯片的研發(fā)能(néng)力，最大單芯片電流容量25A。目前國(guó)内有多家企業建成(chéng)或正在建設多條碳化矽芯片工藝線，這(zhè)些工藝線的投産，將(jiāng)會大大提升國(guó)内碳化矽功率器件的産業化水平。
矽基氮化镓材料成(chéng)本優勢顯著，易于獲得大尺寸、導熱性好(hǎo)，而且器件制備可以有效兼容傳統矽集成(chéng)電路CMOS工藝，是目前工業界普遍采用的技術路線。我國(guó)在平面(miàn)型氮化镓功率器件領域的發(fā)展緊跟國(guó)際步伐，晶圓尺寸以6英寸爲主，并開(kāi)發(fā)出了900V及以下電壓等級的矽基氮化镓器件樣品。
近年來，國(guó)内也開(kāi)始了垂直氮化镓功率器件的研發(fā)，開(kāi)發(fā)了最高阻斷電壓1700V的氮化镓二極管樣品。我國(guó)氮化镓射頻器件近年來取得迅速發(fā)展，并已形成(chéng)産業化公司，器件性能(néng)達到國(guó)際先進(jìn)水平。