6月15日，三安光電股份有限公司（以下簡稱“三安光電”）與長(cháng)沙高新技術産業開(kāi)發(fā)區管理委員會簽署了《項目投資建設合同》，三安光電拟在長(cháng)沙成(chéng)立子公司投資建設第三代半導體産業園項目。
公告披露，三安光電拟在長(cháng)沙高新技術産業開(kāi)發(fā)區管理委員會園區成(chéng)立子公司投資建設包括但不限于碳化矽等化合物第三代半導體的研發(fā)及産業化項目，包括長(cháng)晶—襯底制作—外延生長(cháng)—芯片制備—封裝産業鏈，研發(fā)、生産及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化矽器件封裝二極管、碳化矽器件封裝MOSFET。
據悉，該項目總投資額達160億元，三安光電在用地各項手續和相關條件齊備後(hòu)24個月内完成(chéng)一期項目建設并實現投産，48個月内完成(chéng)二期項目建設和固定資産投資并實現投産；72個月内實現達産。
據了解，三安光電主要從事(shì)Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的研發(fā)與應用，緻力于化合物半導體集成(chéng)電路業務的發(fā)展，努力打造具有國(guó)際競争力的半導體廠商。
三安光電表示，第三代半導體産業園項目有着廣闊的市場需求，現處于發(fā)展階段。本次投資項目符合國(guó)家産業政策規劃，符合公司産業發(fā)展方向(xiàng)和發(fā)展戰略，有利于提升公司行業地位及核心競争力。
加碼第三代半導體領域
資料顯示，三安光電成(chéng)立于2000年11月，主要從事(shì)全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成(chéng)電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生産與銷售。
2014年，三安光電開(kāi)始涉足集成(chéng)電路産業，投資化合物半導體市場，建設砷化镓高速半導體與氮化镓高功率半導體項目。根據天眼查顯示，三安光電全資控股公司三安集成(chéng)，成(chéng)立于2014年5月26日，經(jīng)營範圍包括集成(chéng)電路設計；工程和技術研究和試驗發(fā)展；其他機械設備及電子産品批發(fā)等。
據悉，三安集成(chéng)是國(guó)内化合物半導體代工龍頭，業務涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領域，已取得國(guó)内重要客戶的合格供應商認證，各個闆塊已全面(miàn)開(kāi)展合作。
官方資料顯示，2018年三安光電在福建泉州南安高新技術産業園區，斥資333億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、LED外延、芯片、微波集成(chéng)電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SIC材料及器件、特種(zhǒng)封裝等産業。
三安光電表示，2022年項目建成(chéng)後(hòu)，三安光電將(jiāng)實現在半導體化合物高端領域的全産業鏈布局。