據中央紀委國(guó)家監委網站指出，目前中國(guó)電科（山西）碳化矽材料産業基地已經(jīng)實現4英寸晶片的大批量産，6英寸高純半絕緣碳化矽單晶襯底也已經(jīng)開(kāi)始工程化驗證，爲客戶提供小批量的産品試用，預計年底達到産業化應用與國(guó)際水平相當。
今年3月，中國(guó)電科（山西）碳化矽材料産業基地在山西轉型綜合改革示範區正式投産，第一批設備正式啓動。基地一期項目可容納600台碳化矽單晶生長(cháng)爐，項目建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)具備年産10萬片4-6英寸N型碳化矽單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化矽單晶晶片的生産能(néng)力，是目前國(guó)内最大的碳化矽材料産業基地。這(zhè)一基地的啓動，將(jiāng)徹底打破國(guó)外對(duì)我國(guó)碳化矽封鎖的局面(miàn)，實現碳化矽的完全自主供應。
目前國(guó)際上碳化矽晶片的合格率最高是70%-80%，而原來國(guó)内實驗室生産的碳化矽晶片的合格率僅有30%。但在碳化矽産業基地，這(zhè)個合格率可以達到65%。
中電科總經(jīng)理李斌介紹，現在我們在實現迅速研發(fā)的同時也進(jìn)一步開(kāi)展量産，三年内整個項目要達到18萬片每年的産能(néng)。另外，我們目前在進(jìn)行8英寸晶片的研究，希望三年之後(hòu)，我們能(néng)有8英寸的樣片出來。因爲晶片是整個碳化矽産業鏈的上遊，要走到器件研究的前面(miàn)。