此前，兆易創新發(fā)布非公開(kāi)發(fā)行A股股票預案，公司拟向(xiàng)不超過(guò)10名特定投資者非公開(kāi)發(fā)行股票不超過(guò)64,224,315股（含本數），募集資金總額（含發(fā)行費用）不超過(guò)人民币432,402.36萬元，用于DRAM芯片研發(fā)及産業化以及補充流動資金。近日，兆易創新在此次非公開(kāi)發(fā)行A股股票申請文件的反饋意見的回複中，透露了具體規劃。
表中可知，兆易創新DRAM芯片2021年完成(chéng)客戶驗證，最晚將(jiāng)于2025年量産。
兆易創新披露，公司Flash芯片的下遊客戶與DRAM芯片的下遊客戶重合度較高。
對(duì)首款芯片試樣片進(jìn)行封裝測試，後(hòu)送至系統芯片商處進(jìn)行功能(néng)性認證，認證完畢後(hòu)送至客戶進(jìn)行系統級驗證，包含功能(néng)測試、壓力測試、燒機驗證等，通過(guò)所有驗證後(hòu)完成(chéng)客戶驗證，驗證完成(chéng)後(hòu)進(jìn)行小批量産，實施時間預計在2021年。
另外，兆易創新表示，公司拟通過(guò)本項目，研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術，設計和開(kāi)發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項目的成(chéng)功實施，有助于公司豐富自身産品線，有效整合産業資源，鞏固并提高公司的市場地位和綜合競争力。