9月23日，北京兆易創新科技股份有限公司（以下簡稱“兆易創新”）在股票交易異常波動公告中表示，拟定增43億元，籌劃DRAM芯片自研及産業化項目。如今，此次非公開(kāi)發(fā)行A股相關事(shì)項已經(jīng)獲得兆易創新第三屆董事(shì)會第八次會議審議通過(guò)，但尚需公司股東大會審議批準及中國(guó)證監會核準。
10月1日，兆易創新發(fā)布非公開(kāi)發(fā)行A股股票預案公告。公告指出，本次非公開(kāi)發(fā)行A股股票的發(fā)行對(duì)象爲不超過(guò)10名特定投資者，發(fā)行的股票數量不超過(guò)本次發(fā)行前公司股份總數的20%，即不超過(guò)64,224,315股（含本數）。
預案顯示，兆易創新本次發(fā)行募集資金總額（含發(fā)行費用）不超過(guò)人民币432,402.36萬元（含本數），扣除發(fā)行費用後(hòu)的募集資金淨額將(jiāng)用于DRAM芯片研發(fā)及産業化項目及補充流動資金。
其中，DRAM芯片研發(fā)及産業化項目計劃投資39.92億元，拟投入募集資金33.24億元。兆易創新拟通過(guò)本項目，研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術，設計和開(kāi)發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項目的成(chéng)功實施，有助于公司豐富自身産品線，有效整合産業資源，鞏固并提高公司的市場地位和綜合競争力。
資料顯示，兆易創新自2005年設立并進(jìn)入閃存芯片設計行業，通過(guò)技術開(kāi)拓、業務并購，目前已成(chéng)爲中國(guó)大陸最爲領先的芯片設計企業之一，主營業務爲閃存芯片及其衍生産品、微控制器産品、傳感器模塊的研發(fā)、技術支持和銷售。
兆易創新指出，通過(guò)本次非公開(kāi)發(fā)行，公司將(jiāng)以募集資金投入DRAM芯片的研發(fā)及産業化，積極推進(jìn)産業整合，加快業務發(fā)展，拓展戰略布局。本次非公開(kāi)發(fā)行是公司打造國(guó)内領先存儲器廠商、全球領先芯片設計公司的關鍵戰略，發(fā)行完成(chéng)後(hòu)，公司在存儲器領域將(jiāng)成(chéng)爲覆蓋Flash、DRAM的領軍企業。
上述項目的實施能(néng)夠豐富公司的産品結構，深入公司在存儲器行業的布局，成(chéng)爲國(guó)内高端通用存儲器領域領軍企業，并能(néng)夠在公司業務不斷爬升、日益發(fā)展壯大的過(guò)程中補充營運資金。
DRAM作爲集成(chéng)電路領域通用芯片，産品标準化，非常适宜于迅速擴張，本次非公開(kāi)發(fā)行完成(chéng)及募集資金投資項目實施完畢後(hòu)，公司在存儲器領域的産品結構將(jiāng)得到進(jìn)一步豐富，在NOR Flash、NAND Flash基礎上切入DRAM存儲芯片。項目完成(chéng)後(hòu)，兆易創新將(jiāng)掌握DRAM技術、具備DRAM産品設計能(néng)力。