3月10日，三星（中國(guó)）半導體有限公司舉行三星高端存儲芯片二期第一階段項目産品下線上市儀式。
資料顯示，三星高端存儲芯片二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，分兩(liǎng)個階段進(jìn)行，其中第一階段項目總投資70億美元，預計2020年3月竣工投産；第二階段投資80億美元已于去年年底啓動建設，預計2021年上半年實現量産。
據西安發(fā)布指出，三星高端存儲芯片二期第一階段項目目前已經(jīng)具備量産能(néng)力，預計今年8月實現滿産。此次下線上市的是三星高端存儲芯片二期第一階段項目的首批産品，代表了世界最尖端制造技術的存儲芯片新産品。
根據此前的消息指出，三星高端存儲芯片二期項目建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)新增産能(néng)每月13萬片，新增産值300億元，解決上千人就業，并帶動一批配套電子信息企業落戶，使西安成(chéng)爲全球水平最高、規模最大的閃存芯片制造基地。
新華網近日報道(dào)，三星半導體存儲芯片一期項目一、二月份實現滿産生産，而二期項目第二階段争取按原定計劃在8月底完成(chéng)内部裝修工程。