爲了減低近期存儲器降價帶來的沖擊，全球存儲器龍頭三星逐漸強化晶圓代工業務，希望有機會進(jìn)一步拉近與台積電的差距。在先進(jìn)制程的發(fā)展方面(miàn)，根據三星高層表示，將(jiāng)在 2019 下半年量産内含 EUV技術的 7 納米制程，而 2021 年量産更先進(jìn)的 3 納米 GAA 制程。
根據國(guó)外科技網站《Tomshardware》報導，三星晶圓代工業務市場副總 Ryan Sanghyun Lee 表示，三星從 2002 年一直在開(kāi)發(fā)矽納米線金屬氧化物半導體場效晶體管（Gate-All-Around；GAA ）技術，也就是透過(guò)使用納米設備制造 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET），可顯著提升晶體管性能(néng)。三星準備在 2021 年量産 3 納米 GAA 制程。
來源：三星
報導進(jìn)一步表示，關于三星 3 納米 GAA 制程何時進(jìn)入量産，至今似乎并沒(méi)有統一說法。三星晶圓代工業務負責人 Eun Seung Jung于2018 年 12 月在 IEDM 會議就表示，三星已完成(chéng) 3 納米制程技術性能(néng)驗證，進(jìn)一步優化制程後(hòu)，目标是在 2020 年大規模量産。
不過(guò) 3 納米 GAA 制程不論 2020 年還(hái)是 2021 年量産，都(dōu)還(hái)離現在都(dōu)還(hái)有點遠。三星 2019 年主推的是内含 EUV 技術的 7 納米制程，預計 2019 下半年量産。盡管三星 2018 年就已經(jīng)宣布内含 EUV 技術的 7 納米制程能(néng)量産，實際上之前所說的量産隻是風險試産，遠未達到規模量産的地步，2019 年底量産才有可能(néng)。
隻是，在内含 EUV 技術的 7 納米制程，台積電之前也宣布將(jiāng)在 2019 年量産，看起(qǐ)來三星也沒(méi)有進(jìn)度優勢，目前僅能(néng)寄望在三星在内含 EUV 技術的 7 納米制程有自己開(kāi)發(fā)的光罩檢查工具，而在其他競争對(duì)手還(hái)沒(méi)有類似的商業工具的情況下，能(néng)有更好(hǎo)的良率，以及更低的成(chéng)本。因此 7 納米節點，三星現階段想要超前，似乎還(hái)需要一點運氣。