三星電子(Samsung Electronics)已成(chéng)功開(kāi)發(fā)出業界首款3納米GAA制程技術，副會長(cháng)李在熔(Lee Jae-yong)上周四(1月2日)訪問了華城(Hwaseong)芯片廠的半導體研發(fā)中心，讨論相關的商業化議題。
BusinessKorea、韓國(guó)先驅報(Korea Herald)報導，三星電子新開(kāi)發(fā)的3納米GAA制程技術，有望協助公司達成(chéng)“2030年半導體願景”(即于2030年在系統半導體、存儲器芯片領域成(chéng)爲業界領導者)。GAA是當前FinFET技術的升級版，可讓芯片商進(jìn)一步縮小微芯片體積。
李在熔2日訪問了華城芯片廠，聽取3納米制程技術的研發(fā)簡報，并跟裝置解決方案(device solutions, DS)事(shì)業群的主管讨論次世代半導體策略方針。
跟5納米相較，采用3納米GAA制程技術的芯片尺寸小了35%、電力消耗量降低50%，但運算效能(néng)卻能(néng)拉高30%。三星計畫在2022年量産3納米芯片。
三星去(2019)年發(fā)布了133萬億韓元(約1118.5億美元)的投資計劃，目标是在2030年成(chéng)爲全球頂尖的系統單芯片(SoC)制造商。