當前，3D NAND Flash快閃存儲器産品量産的最高堆疊層數爲128層，不過(guò)三星正在研發(fā)更高層數的快閃存儲器。
據韓國(guó)媒體《ETnews》近日報道(dào)，三星目前正在開(kāi)發(fā)具有160層或更高層的第7代V-NAND快閃存儲器，并且在相關技術方面(miàn)已經(jīng)取得重大進(jìn)展。
《ETnews》指出，三星的第7代V-NAND快閃存儲器將(jiāng)采用“雙堆疊”的技術來達到更多堆疊層的目的。就現階段來說，如果完成(chéng)160層堆疊的V-NAND快閃存儲器開(kāi)發(fā)，將(jiāng)成(chéng)爲業界最高堆疊層數的産品。
報導進(jìn)一步指出，在存儲器産業中，這(zhè)稱爲3D NAND Flash的快閃存儲器，三星則是稱爲V-NAND快閃存儲器。堆疊層數的多少是3D NAND Flash快閃存儲器廠商的核心競争力，而目前三星是被公認爲業界技術最先進(jìn)的廠商。另外，三星在2019年也以166.7億美元（約20萬億韓圜）的營收，在全球3D NAND Flash快閃存儲器市場上成(chéng)爲龍頭，市占率達到35.9%。
值得一提的是，盡管新冠肺炎疫情爆發(fā)，三星仍在繼續進(jìn)行存儲器生産與研發(fā)的投資，其中包括對(duì)西安的NAND Flash快閃存儲器工廠進(jìn)行擴産。除了三星之外，韓國(guó)另一個存儲器大廠SK Hynix也在2019年宣布了發(fā)展規劃，并且在2020年恢複了存儲器産品的投資。由于存儲器爲韓國(guó)的重要産業，因此預計未來的投資還(hái)將(jiāng)持續擴大。